[发明专利]在虚设半导体元件外表面形成保护膜的方法在审
| 申请号： | 201910139853.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613518A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 黄海冰 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在虚设半导体元件外表面形成保护膜的方法，包括：虚设半导体元件置于真空腔内；向所述真空腔通入氨气和硅烷；以及在预设条件下，所述虚设半导体元件上沉积形成厚度为500‑1000埃的氮化硅薄膜。通过该方法可保护虚设半导体元件免受污染及损坏，延长虚设半导体的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 虚设 半导体 元件 外表 形成 保护膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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