[发明专利]具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910080209.6 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109817711B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;黄芸佳;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法。该器件的部分漂移区为AlGaN/GaN异质结；AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(two dimensional electron gas，2DEG)，二维电子气具有很高的迁移率，从而使具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓新型横向晶体管具有很低的导通电阻。器件关断时，2DEG耗尽，同时在器件表面引入了新的电场峰，降低了横向晶体管栅边缘的高峰电场，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 algan gan 异质结 氮化 横向 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，包括：半导体材料的衬底；位于衬底表面的漂移区；基于漂移区的一端通过离子注入形成的基区、源区以及沟道衬底接触；基区表面覆盖有栅介质层；基于漂移区的另一端通过离子注入形成的漏区；其特征在于：所述衬底为P型GaN材料，所述漂移区为N型GaN材料；在漂移区靠近漏端的区域还通过异质外延形成有AlGaN层，AlGaN/GaN异质结长度大于漂移区余下区域的长度；在基区、源区以及沟道衬底接触下方的衬底处还通过离子注入形成有P型屏蔽层。
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