[发明专利]PVD溅射沉积腔室中的倾斜磁控管在审
| 申请号： | 201880099083.0 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN112955579A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙立中;杨晓东;周玉飞;杨毅 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种腔室包含靶(16)及设置在靶(16)之上的磁控管(50)。磁控管(50)包含多个磁体(52,54)。磁控管(50)具有纵向维度和横向维度。磁控管(50)的纵向维度相对于靶(16)倾斜，使得磁体(52,54)和靶(16)之间的距离变化。当磁控管(50)在操作期间旋转时，磁控管(50)产生的磁场强度是磁体(52,54)产生的各种磁场强度的平均值。磁场强度的平均导致均匀的膜性质和均匀的靶侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | pvd 溅射 沉积 中的 倾斜 磁控管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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