[发明专利]半导体装置、存储装置及电子设备在审
| 申请号： | 201880058030.4 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111052350A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 大贯达也;松崎隆德;加藤清;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;G11C5/02;G11C11/4097;H01L21/336;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种位线寄生电容得到降低的存储装置。该存储装置包括与位线电连接的读出放大器及层叠在读出放大器上的存储单元阵列。存储单元阵列包括多个存储单元。多个存储单元分别与位线电连接。存储单元阵列内没有设置位线的引绕部分。因此，可以缩短位线，从而可以降低位线寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
