[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880054552.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111033702A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;浅见良信;石山贵久;仓田求;德丸亮;石原典隆;野中裕介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11519;H01L27/1156;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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