[发明专利]掺杂金刚石半导体及其制造方法在审
| 申请号： | 201880053445.2 | 申请日： | 2018-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110998796A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·大卫·波斯威尔 | 申请（专利权）人： | 金刚石技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;C30B29/04 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文中公开一种掺杂金刚石半导体和使用激光的制造方法。如所公开的，可将掺杂物和/或金刚石或蓝宝石晶种材料添加到定位于限制层下方的基于石墨的烧蚀层，所述烧蚀层也是基于石墨的且定位于背衬层上方，以通过激光束作用于所述烧蚀层来促使形成具有所需半导体性质的金刚石颗粒。可将掺杂物并入到工艺中以激活寻求产生适用于产生掺杂半导体或掺杂导体的材料的反应，所述掺杂半导体或所述掺杂导体适合于调节所产生的所述材料的电气、热或量子性质的目的。如所公开的，由机器或所公开的限制型脉冲激光沉积的方法形成的所述金刚石颗粒可布置为半导体、电气组件、热组件、量子组件和/或集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 金刚石 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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