[发明专利]压电能量收集的弯曲结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201880045214.7 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN111066165B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 利博尔·鲁费尔;斯坎达·巴萨尔;埃米莉·翠奥斯;圭拉姆·费林;克莱尔·班底格尼斯;洪·勒康;波格丹·洛欣斯基;安·阮-定 | 申请（专利权）人： | 格勒诺布尔阿尔卑斯大学;维蒙股份公司 |
| 主分类号： | H10N30/30 | 分类号： | H10N30/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 赵永莉;王莹 |
| 地址： | 法国圣马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种压电双晶片悬臂梁系统包括垫片，具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面、连接至锚固件的近端、以及与该近端相对的远端。系统进一步包括层压在垫片的第一主表面上的第一压电层以及层压在垫片的第二主表面上的第二压电层。第一梁加强件设置在垫片的与锚固件相邻的第一主表面上方，其中第一梁加强件至少部分地覆盖第一压电层。第二梁加强件设置在垫片的与锚固件相邻的第二主表面上方，其中第二梁加强件至少部分地覆盖第二压电层。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 能量 收集 弯曲 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本公开提供了一种压电传感器、其制作方法及触觉反馈装置，其中，所述压电传感器包括：衬底基板，以及依次背离所述衬底基板设置的第一电极层、压电薄膜层、绝缘层和第二电极层，其中，所述绝缘层与所述压电薄膜层的至少部分接触。用于避免压电传感器短路，提高产品良率。
- 一种高温压力传感器芯片的制备方法-201811587627.6
- 宋运康;赵虎;李亨;李博洋;赵坤帅;余才佳 - 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
- 2018-12-24 - 2023-01-17 - H10N30/30
- 本发明属于微型传感器技术领域，涉及一种高温压力传感器芯片的制备方法。该方法采用两次硅硅键合技术分别将压阻层与压力敏感膜、压力敏感膜和衬底硅连接起来，形成一个整体。其中压阻层采用高温硼扩散掺杂方式制备，与压力敏感膜采用氧化绝缘层隔离。本发明的方法采用硼扩散辅助键合方式，在制备压阻的同时，实现压阻层与压力敏感膜可靠键合。同时避免了传统直接用SOI片扩散制备高温压力传感器，可能存在硼原子进入氧化层而带来的漏电流增加，稳定性变差的风险，有效实现高温压力传感器的高稳定性。
- 一种压电陶瓷传感器及其制备方法-201910643824.3
- 丁小恒;李明愚;孙思雨;晏义伍;丁莉 - 深圳航天科技创新研究院
- 2019-07-17 - 2023-01-03 - H10N30/30
- 本发明公开了一种压电陶瓷传感器及其制备方法，所述传感器包括上柔性薄膜基底和下柔性薄膜基底，所述上柔性薄膜基底和所述下柔性薄膜基底之间依次设置有第一导电层、压电层和第二导电层，所述压电层包括若干间隔排列的压电陶瓷，所述压电陶瓷的2个电极分别与所述第一导电层、所述第二导电层电性保持接触。本发明中所制备的压电传感器采用压电陶瓷材料，对比柔性材料PVDF，其热稳定性好，耐穿刺，压电效率较高。同时，本发明的制备工艺直接使用极化后的压电陶瓷进行切割，并利用切割过程中的物料损耗实现陶瓷片的间隔排布，工艺简单可控，良品率高，能够实现大规模生产。
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