[发明专利]具有免受环境背光影响的保护的半导体光检测器器件在审
| 申请号： | 201880037075.3 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110710000A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 维克托·西多罗夫;朴钟文;尤金·G·迪施克 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L27/146 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 半导体光检测器器件包括第一导电类型的半导体材料的衬底(1)、相反的第二导电类型的外延层(2)、第一导电类型的其他外延层(3)以及光检测器(4)。该外延层用作对电荷载流子(e | ||
| 搜索关键词： | 外延层 第一导电类型 电荷载流子 光检测器 半导体光检测器 半导体材料 导电类型 屏蔽层 衬底 入射 辐射 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光检测器器件，包括：/n第一导电类型的半导体材料的衬底(1)，/n所述衬底上的外延层(2)，所述外延层被掺杂成与第一导电类型相反的第二导电类型，/n所述外延层(2)上的其他外延层(3)，所述其他外延层(3)被掺杂成第一导电类型，所述外延层(2)布置在所述衬底(1)与所述其他外延层(3)之间，以及/n布置在所述衬底(1)中或所述其他外延层(3)中的一个光检测器或多个光检测器(4)。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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