[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201822140044.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209374474U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;高艳龙;秦双娇;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述第一凹槽内的N型半导体层上设有向所述衬底延伸的第二凹槽，所述第二凹槽在第一表面上的截面边缘位于所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘内，所述第一表面为所述第一凹槽和所述第二凹槽的交界面；所述N型电极设置在所述第二凹槽内的N型半导体层上。本实用新型可以避免N型电极在焊线作业时受到挤压而增大占用区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 第一表面 衬底 发光二极管芯片 本实用新型 截面边缘 源层 半导体技术领域 依次层叠 交界面 延伸 焊线 挤压 芯片 占用 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；其特征在于，所述第一凹槽内的N型半导体层上设有向所述衬底延伸的第二凹槽，所述第二凹槽在第一表面上的截面边缘位于所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘内，所述第一表面为所述第一凹槽和所述第二凹槽的交界面；所述N型电极设置在所述第二凹槽内的N型半导体层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822140044.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
