[实用新型]一种线性电磁执行元件掩模有效

申请号：	201821284818.0	申请日：	2018-08-10
公开（公告）号：	CN208721977U	公开（公告）日：	2019-04-09
发明（设计）人：	刘飞豹;刘浩雨	申请（专利权）人：	景瓷精密零部件（桐乡）有限公司
主分类号：	G03F1/48	分类号：	G03F1/48
代理公司：	嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253	代理人：	李伊飏
地址：	314000 浙江省嘉兴市桐***	国省代码：	浙江;33
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摘要：	本实用新型公开了一种线性电磁执行元件掩模，包括掩模板，掩模板的底部设置有硅晶片，掩模板的顶部设置有芯片，芯片的上表面设置有光栅格，掩模板的上表面涂覆有防尘涂料，防尘膜的下表面设置有保护膜玻璃晶片的下表面设置有抗反射膜，抗反射膜的下表面设置有铬膜。本实用新型在掩模板的上表面设置有防尘涂料和保护膜，可对掩模板进行有效保护，同时防尘涂料为聚硅氧烷聚合物材料制作而成，能有效对掩模板进行防尘，保护膜由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成具有极好的防潮性，同时具有极好的韧性，能加强掩模板的强度，在铬的表面涂覆一层抗反射膜，极大减少了铬的反射性，既增强了掩模板的实用性也提高了安全性。
搜索关键词：	掩模板防尘抗反射膜上表面下表面涂料线性电磁保护膜硅橡胶高分子聚合物材料聚硅氧烷聚合物芯片保护膜玻璃本实用新型表面涂覆顶部设置光栅反射性防潮性防尘膜硅晶片铬膜晶片涂覆掩模制作
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【主权项】：

1.一种线性电磁执行元件掩模，包括掩模板(1)，其特征在于，所述掩模板(1)的底部设置有硅晶片(2)，所述掩模板(1)的顶部设置有芯片(3)，所述芯片(3)的上表面设置有光栅格(4)，所述掩模板(1)的下表面涂覆有第一防尘涂料(9)，所述第一防尘涂料(9)的下表面安装有第一保护膜(5)，所述第一保护膜(5)的下表面设置有玻璃晶片(6)，所述玻璃晶片(6)的下表面设置有抗反射膜(7)，所述抗反射膜(7)的下表面设置有铬膜(8)，所述铬膜(8)的下表面安装有第二保护膜(10)，所述第二保护膜(10)的下表面涂覆有第二防尘涂料(11)。

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摘要：本发明提供了一种掩膜板及其制作方法，该掩膜板包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括透光区域和遮光区域，所述掩膜板还包括设置在所述掩膜板本体上的防划伤层。本发明提供的掩膜板，通过在掩膜板本体上设置防划伤层，在掩模板与待曝光的基板进行对位时，即使待曝光的基板上存在异物，通过该防划伤层可以起到对掩膜板本体的保护作用，从而防止对掩膜板本体造成损伤，避免影响所制作产品的良率。

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摘要：本实用新型公开了一种线性电磁执行元件掩模，包括掩模板，掩模板的底部设置有硅晶片，掩模板的顶部设置有芯片，芯片的上表面设置有光栅格，掩模板的上表面涂覆有防尘涂料，防尘膜的下表面设置有保护膜玻璃晶片的下表面设置有抗反射膜，抗反射膜的下表面设置有铬膜。本实用新型在掩模板的上表面设置有防尘涂料和保护膜，可对掩模板进行有效保护，同时防尘涂料为聚硅氧烷聚合物材料制作而成，能有效对掩模板进行防尘，保护膜由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成具有极好的防潮性，同时具有极好的韧性，能加强掩模板的强度，在铬的表面涂覆一层抗反射膜，极大减少了铬的反射性，既增强了掩模板的实用性也提高了安全性。

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摘要：本实用新型提供了一种保护罩以及涂胶设备，所述保护罩包括第一挡板以及第二挡板，所述第一挡板位于所述第二挡板内，所述第一挡板与所述第二挡板之间存在间隙，且所述第一挡板具有第一镂空区域，所述第二挡板具有第一非镂空区域，所述第一镂空区域与所述第一非镂空区域相对应，以通过至少两层挡板来缓冲和分流光刻胶涂布过程中溅射的工艺物质，从而降低反溅的工艺物质对硅片的不良影响，提升产品的涂布良率。

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摘要：本实用新型公开一种掩膜板结构，包括掩膜板、设置于掩膜板上表面的第一保护膜以及设置于掩膜板下表面下方的第二保护膜，所述第一保护膜与所述第二保护膜为分离设计，其中，所述第一保护膜为高透过率保护膜，所述第一保护膜与掩膜板上表面密封连接，所述第二保护膜与掩膜板下表面密封连接。与现有技术相比，分离设计的第一保护膜和第二保护膜分别设置在一种掩膜板结构的上、下表面上，可分别进行更换，使掩膜板的清洁、翻新变得更加快捷，极大的节省了掩膜板清洁成本。

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申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明公开了一种光罩及其设计方法，所述光罩包括形成光罩图案的透光部分和不透光部分，所述透光部分设有相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域，且所述衍射光栅结构区域的光栅条纹平行于与之相邻的不透光部分的边缘。本发明的光罩，由于在所述光罩中透光部分中，设计了相邻于所述不透光部分边缘的衍射光栅结构区域，进而使得该区域对polyimide薄膜曝光的能量值发生了变化，从而改变了曝光之后的polyimide薄膜的形貌，并最终在加热固化处理之后，能够获得没有翘起的polyimide薄膜，解决了随后的IC电路的封装过程中，翘起对填充焊球的不利影响。

一种掩膜版及其制备方法-201310421535.1
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申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括本体，还包括覆盖于本体的表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层。与传统的掩膜版相比，本发明实施例提供的掩膜版，在掩膜版本体上覆盖了一层疏油材料，由于有机凝结物在该疏油材料的表面的接触角较大、粘附力较低，能有效降低有机凝结物粘附于掩膜版表面的可能性，从而减轻了在曝光过程中光刻胶中的有机溶剂等有机挥发物对掩膜版污染的问题。

一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法-201510576486.8
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申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G03F1/48
摘要：发明属于集成电路技术领域，涉及一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法。本发明采用PECVD法在光刻掩膜版沉积氮化硅的工艺温度低，沉积速度快，沉积薄膜均匀，薄膜的缺陷密度较低，可以大大降低掩膜版受损程度，延长使用寿命；而且在接触式曝光过程中，带氮化硅薄膜保护的光刻掩膜版与硅片表面的耐磨性与不带氮化硅保护的掩膜版的使用情况相比较，使用寿命可明显延长2倍以上。

减少掩膜板雾状缺陷的方法-201410060676.X
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申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明提供一种减少掩膜板雾状缺陷的方法，所述方法包括如下步骤：由下至上依次形成掩模板材料、金属铝和第一光刻胶，掩模板材料自下而上包括石英衬底和铬层；以第一光刻胶为掩膜，通过光刻工艺将金属铝刻蚀成铝框架，去除最后还覆盖在铝框架上的第一光刻胶；在暴露出的掩模板材料上以及铝框架上涂敷满第二光刻胶，以第二光刻胶为掩膜，通过光刻工艺将铬层刻蚀以形成掩模板图案，去除最后还覆盖在掩模板材料和铝框架上的第二光刻胶；以纯水作为电解液，通过电解将铝框架的表面氧化以形成氧化铝；在氧化铝上黏贴覆盖层以形成掩模板保护膜，从而使铝框架和掩模板粘合时无需胶水，从而减少雾状产生的影响因子，进而提高铝框架和掩模板的结合力。

掩膜版-201320259846.8
发明人：金普楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本实用新型提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括：掩膜版主体；设置于所述掩膜版主体第一表面上的第一保护膜；第一连接装置，所述第一连接装置设置于所述掩膜版主体四周，将所述掩膜版主体与所述第一保护膜连接成一第一密闭结构；以及第一液体保护层，所述第一液体保护层设置于所述第一密闭结构中。通过设置第一液体保护层，可以溶解掩膜版主体因长时间曝光析出的各种离子；并且第一连接装置无需开孔来平衡第一密闭结构内外的大气压强，空气中的离子无法进入所述掩膜版内部，有效的杜绝掩膜版晶体的析出，提高光刻图案的精度；同时延长了掩膜版的使用时间。

光罩、玻璃基板及其制造方法-201310283371.0
发明人：柴立 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明提供了一种光罩，该光罩包括阻光区、透光区以及部分透光区，该部分透光区突出于阻光区边缘，以允许部分紫外线透过。本发明还提供了一种玻璃基板及其制造方法。本发明通过在阻光区的边缘设置部分透光区，使得光阻在显影后形成小角度坡面过渡，从而使得后续的蚀刻步骤中，薄膜的边缘形成小角度坡面过渡，以保证交迭于其上的次道薄膜易于形成，薄膜在爬坡处不易断裂，ITO层在过孔处不易断裂，提升产品良率。

光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法-201310195621.5
发明人：黄君;毛智彪;张瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明揭示了一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。本发明的光刻胶的处理方法，能够在保证线宽的前提下，有效地提高所述光刻胶的表面致密度，避免或减少缺陷的产生。

光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法-201310195594.1
发明人：黄君;毛智彪;孟祥国 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明揭示了一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用紫外光固化工艺处理所述保护膜。本发明的光刻胶的处理方法，能够在保证线宽的前提下，有效地提高所述光刻胶的表面致密度，避免或减少缺陷的产生。

一种光刻版结构及其制造方法-201210579774.5
发明人：袁伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明提供了一种光刻版结构，包括：一个基板，位于基板表面的光刻版图形，在光刻版图形表面覆盖有一层或多层透明保护层，位于透明保护层上方的蒙膜，蒙膜将光刻版图形区域罩住；本发明还提供上述光刻版结构的制造方法，包括：在基板表面制备光刻版图形；在光刻版图形的表面形成一层或多层透明保护层；在基板上安装蒙膜。本发明通过在光刻版图形的表面沉积一层或多层透明保护层，对光刻版图形起到保护作用，可以减少和预防光刻版图形表面生成结晶缺陷，从而提高光刻版的投影准确度和良率产出，并且减少光刻版送修的几率，延长光刻版的使用寿命。

掩膜版-201220600331.5
发明人：李伟;刘富军;朱杰;魏崇喜 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本实用新型属于电子和显示制造技术领域，公开了一种掩膜版。通过在形成在透明衬底表面上的遮光层上覆盖透明的防护层，使得在近接曝光形式的曝光过程中，待曝光器件上的光刻胶挥发出的升华物凝结在防护层表面，易于清洗，同时还可以有效防止待曝光器件上的硬质颗粒划伤遮光层，造成掩膜版难以修复的损伤。由于防护层仅覆盖在掩膜版中部的图案区，能够避免掩膜版在搬运过程中损坏防护层。且防护层的厚度为0.1mm左右，相较于掩膜版的厚度（一般为13mm），防护层对光线的吸收可以忽略，不会对曝光过程产生影响。其中，防护层的材质可以为石英玻璃，使得曝光过程中防护层对光线的反射和散射很小，可以忽略，不会影响曝光时的光线分布。

防护膜组件及用于防护膜组件的掩模粘接剂-201180033339.6
发明人：种市大树;河关孝志;小出哲裕 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明的课题是提供一种具有在进行曝光的温度区域内特别容易塑性变形，自掩模剥离时几乎没有糊残留，操作性良好的掩模粘接剂层，且可抑制图案的位置偏移的防护膜组件。为了解决上述课题，而制成具备防护膜框架14、防护膜12、包含掩模粘接剂的掩模粘接剂层15的防护膜组件10。掩模粘接剂包含tanδ峰值温度为-20℃～30℃的热塑性弹性体（A）100质量份和增粘树脂（B）20质量份～150质量份，热塑性弹性体（A）为选自由苯乙烯系热塑性弹性体、(甲基)丙烯酸酯系热塑性弹性体和烯烃系热塑性弹性体所组成的组中的至少一种，掩模粘接剂的tanδ峰值温度为-10℃～30℃。

金属塑料复层式光罩-201220469573.5
发明人：严启祯;何启源 -专利权人：世禾科技股份有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本实用新型为一种金属塑料复层式光罩，主要运用于光电产品的制造工艺中，该复层式光罩是由金属光罩及形成于该金属光罩表面的树脂层所构成，该树脂层的质地较该金属光罩软，且厚度介于0.02mm~0.06mm，该复层式光罩为一框体并具有至少一图样单元，该图样单元的轮廓形状对应于制程中欲沉积的图样，通过本实用新型的复层式光罩利用该树脂层，能在制程中的夹紧固定作业中，达到缓冲及耐磨的效果，延长该复层式光罩的替换周期及使用寿命，也能提升制造工艺的品质。

防护膜-201180030269.9
发明人：河关孝志 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明的目的是更简便地制造抑制了由于光刻曝光所致的光劣化或光分解的防护膜。具体而言，提供一种防护膜，是含有非晶质氟聚合物的光刻用防护膜，其含有5～800质量ppm的氟系溶剂。另外，提供一种防护膜的制造方法，其包括：使包含非晶质氟聚合物与氟系溶剂的溶液形成涂布膜的工序A；以及除去上述涂布膜中的氟系溶剂的工序B，在上述工序B中，使上述涂布膜中残留5～800质量ppm的氟系溶剂。

光罩、TFT玻璃基板及其制造方法-201210395055.8
发明人：林沛;郑华;吴良东;陈上潘;潘龙;高攀;林明文;陈世烽 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明公开了一种光罩，用于TFT基板制造的曝光步骤中部分地阻挡紫外线，包括面板图形形成区和附加图形形成区，面板图形形成区用于形成面板图形；附加图形形成区设于面板图形形成区边缘，用于在面板图形边缘形成附加图形。本发明还公开了一种TFT基板及其制造方法。本发明通过曝光步骤中在面板图形边缘增设附加图形，可保证面板图形边缘处的微结构特征与面板图形中间处的微结构特征具有良好的均一性。

掩膜版及其光刻方法-201110142385.1
发明人：金普楠;常聪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明公开了一种掩膜版，所述掩膜版的上表面涂覆有可透光亲水涂层，所述可透光亲水涂层用于阻挡掩膜版内部的离子与空气中的离子结合成晶体；所述可透光亲水涂层之上还吸附有水膜，用于溶解所述空气中的离子和所述掩膜版内部的离子。同时，本发明还公开了一种光刻方法，采用本发明公开的掩膜版和光刻方法能够提高光刻图案的精度。

乳胶掩膜用电离辐射线固化型保护液及使用其的乳胶掩膜-201080063279.8
发明人：根岸朋子;长谷川刚 -专利权人：木本股份有限公司
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明提供一种可在短时间内形成保护膜，形成保护膜的乳胶掩膜的粘接性与表面硬度优异的乳胶掩膜用保护液及使用其的乳胶掩膜。乳胶掩膜用电离辐射线性固化型保护液含有(甲基)丙烯酸酯低聚物和/或(甲基)丙烯酸系单体，及可与前述所述低聚物和/或单体共聚的反应性亲水性物质。而且反应性亲水性物质为(甲基)丙烯酸改性的亲水性物质，尤其是(甲基)丙烯酸改性的磷酸酯和/或(甲基)丙烯酸改性的季铵盐。

防尘薄膜组件框架、其制造方法以及防尘薄膜组件-201210098084.8
发明人：関原一敏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G03F1/48
摘要：提供一种在碳纤维中含浸树脂的复合体，不变更尺寸而提高全体的刚性，轻量化可能并制造简单的防尘薄膜组件框架。防尘薄膜组件框架10的长方形形状的防尘薄膜组件框架10的各边，由长纤维状的碳纤维和树脂和的复合材料形成的细长部件14，20来形成，上述碳纤维，细长部件14，20的纵方向分配方向。细长部件14，20的全表面树脂皮膜来包覆，从而没有碳纤维露出。

防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件-201210091249.9
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申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明提供一种将含有i线、h线、g线的350至450nm的波长领域的紫外线进行照射的光刻工程中适宜的，便宜的耐光性优良的防尘薄膜。本发明的薄膜是在用350至450nm的波长领域的紫外线进行照射的光刻工程中被使用防尘薄膜组件用防尘薄膜。该防尘薄膜的特征是，在原料防尘薄膜的至少曝光光源侧的表面，对350至450nm的波长领域的紫外线的平均透过率为90％以上，同时有对200至300nm的波长领域的紫外线的平均透过率为50％以下的紫外线吸收层。

薄膜边压块-201120375644.0
发明人：陈华 -专利权人：无锡艾德里安科技有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本实用新型涉及一种薄膜边压块，包括上薄膜边压块和下薄膜边压块，上薄膜边压块与下薄膜边压块卡接，上薄膜边压块一端设有第一边框槽，下薄膜边压块对应于第一边框槽的一端也设有边框槽。本实用新型边框槽上设有橡胶垫可以防止薄膜组件的磨损，结构简单，安装和拆卸也非常方便，同时还避免了粘接剂留在光掩模上，有效的防止了灰尘及其他微粒的沾染。

一种接触式掩膜版-201120341324.3
发明人：罗强;刘勇;刘明;南京 -专利权人：康可电子（无锡）有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本实用新型揭示了一种接触式掩膜版，在对硅片进行曝光法光刻工艺中与硅片相对接，其特别之处为该掩膜版与硅片相对的一面设有透光性的硬膜涂层。该硬膜涂层的厚度没有特定限制，仅作透光性及耐磨损性两方面要求。实施本实用新型的技术方案，其优点在于相对使用普通掩膜版可以有效延长掩膜版使用寿命十倍以上，且成本增加少于三分之一。

一种保护掩模板的方法-201110183453.9
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明提供一种保护掩模板的方法，其特征在于，包括以顺序下步骤：将在掩模板上所设置的铬层用强酸进行化学钝化处理，形成一层覆盖在铬层上的致密的氧化层；利用化学气相沉积法，沉积一层薄膜覆盖在所述掩模板所包含的衬底上，同时该薄膜还覆盖在表面形成有氧化层的铬层之上。本发明提供的方法有效得阻止铬层进一步的氧化和掩模板上污渍的产生，减少了因掩模板有污渍而造成的损失，在掩模板实际使用时，只需通过化学方法除去表面的氮化硅薄膜层即可。

光刻用防尘薄膜组件及其制造方法-201080017536.4
发明人：秋山昌次;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G03F1/48
摘要：本发明的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅防尘薄膜组件膜(10)，此防尘薄膜组件膜(10)由包含外框部(20a)和此外框部(20a)的内侧区域的多孔部(网状结构)(20b)的支撑部件(20)支撑着。另外，为了防止防尘薄膜组件膜(10)的表面氧化，而形成了被覆单晶硅膜露出在外部的部分的抗氧化膜(30a、30b)。支撑部件(20)是通过加工SOI基板的操作基板而获得的，单晶硅防尘薄膜组件膜(10)是由SOI基板的SOI层所获得。防尘薄膜组件膜(10)和支撑部件(20)牢固地结合在一起，所以可以确保充分的机械强度。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[实用新型]一种线性电磁执行元件掩模有效

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