[实用新型]外延片及肖特基二极管有效
| 申请号： | 201821004572.7 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN208690266U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邢东;冯志红;赵向阳;王元刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王政 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种外延片及肖特基二极管，外延片包括：衬底；所述衬底上表面设有重掺杂外延层；所述重掺杂外延层上表面设有轻掺杂外延层；所述轻掺杂外延层中设有凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；所述轻掺杂外延层上表面设有二次外延层，所述二次外延层填充所述轻掺杂外延层中的凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。使用本实用新型提供的外延片制备肖特基二极管时，能够提高肖特基二极管的反向击穿电压，且不会降低器件的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 轻掺杂外延层 外延层 肖特基二极管 外延片 本实用新型 上表面 重掺杂 半导体技术领域 反向击穿电压 衬底上表面 高频性能 降低器件 衬底 制备 填充 | ||
【主权项】：
1.一种外延片，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上表面设有重掺杂外延层；所述重掺杂外延层上表面设有轻掺杂外延层；所述轻掺杂外延层中设有凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；所述轻掺杂外延层上表面设有二次外延层，所述二次外延层填充所述轻掺杂外延层中的凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。
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