[实用新型]功率半导体元件有效
| 申请号： | 201820791965.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208271904U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种功率半导体元件，包括：基底、第一外延层以及第二外延层。基底定义有有源区与终端区。终端区围绕有源区。第一外延层配置在有源区与终端区的基底上。第二外延层配置在基底与第一外延层之间。第二外延层中包括：第一终端沟槽与第二终端沟槽。第一终端沟槽具有第一电极，其配置在终端区中且邻近有源区。第二终端沟槽具有第二电极，其配置在终端区中。第一电极的电位与第二电极的电位介于源极电位与漏极电位之间。本实用新型提供的功率半导体元件，可通过改善终端区中沟槽电极边缘处的电场扭曲现象，进而提升功率半导体元件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 终端区 功率半导体元件 终端沟槽 基底 源区 电位 本实用新型 第二电极 第一电极 配置 沟槽电极 击穿电压 漏极电位 扭曲现象 源极电位 电场 边缘处 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体元件，其特征在于，包括：基底，定义有有源区与终端区，所述终端区围绕所述有源区；第一外延层，配置在所述有源区与所述终端区的所述基底上；以及第二外延层，配置在所述基底与所述第一外延层之间；其中所述第二外延层中包括：第一终端沟槽，具有第一电极，其配置在所述终端区中且邻近所述有源区；以及第二终端沟槽，具有第二电极，配置在所述终端区中，其中所述第一电极的电位与所述第二电极的电位介于源极电位与漏极电位之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力祥半导体股份有限公司，未经力祥半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820791965.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子装置及其制备工具
- 下一篇：一种高电子迁移率晶体管
- 同类专利
- 专利分类
