[实用新型]一种新型TRIPLE RESURF LDMOS有效
| 申请号： | 201820105024.7 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN207925479U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 马中发;彭雨程 | 申请（专利权）人： | 西安因变光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李倩 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型TRIPLE RESURF LDMOS，涉及开关管技术领域，包括：重掺杂衬底和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层上设有漂移区，所述漂移区上从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层、第二埋层和第三埋层，所述第一埋层、第二埋层和第三埋层的上方还设有氧化槽，所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层和第三埋层均填充有第一掺杂类型，所述漂移区填充有第二掺杂类型。本实用新型提高了击穿电压，从而提高了TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 埋层 轻掺杂外延层 漂移区 重掺杂 衬底 本实用新型 掺杂类型 填充 击穿电压 开关管 氧化槽 递减 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种新型TRIPLE RESURF LDMOS，其特征在于：包括：重掺杂衬底(1)和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层(2)，所述轻掺杂外延层(2)上设有漂移区(3)，所述漂移区(3)上从左到右依次设有第二掺杂类型且掺杂浓度递减的第一埋层(4)、第二埋层(5)和第三埋层(6)，所述第一埋层(4)、第二埋层(5)和第三埋层(6)的上方还设有氧化槽(7)，所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层和第三埋层均填充有第一掺杂类型，所述漂移区填充有第二掺杂类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安因变光电科技有限公司，未经西安因变光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820105024.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有背场板结构的HEMT器件
- 下一篇：薄膜晶体管和场效应二极管
- 同类专利
- 专利分类
