[发明专利]加热装置及加热方法在审

专利信息
申请号: 202010284703.7 申请日: 2020-04-13
公开(公告)号: CN111485289A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 乔焜;张新建;林岳明;高明哲 申请(专利权)人: 上海玺唐半导体科技有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B7/10
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 史治法
地址: 201600 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种加热装置及加热方法,加热装置包括:容器;加热部件,位于容器外侧,用于对容器加热;冷却层,位于容器外侧且通过加热部件和绝热层与容器相隔离。上述加热装置中包括冷却层,使得容器外侧的温度恒定,减少环境温度变化对容器内温度的影响,还能有利于精确控制容器内的轴向温度差,减少成本。
搜索关键词: 加热 装置 方法
【主权项】:
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  • 本实用新型提供一种保护装置,其包括:炉体,其内设置有加热腔,炉体的一端固定连接有上盖板,另一端连接有下盖板;其中上盖板和下盖板之间连接有保护组件;保护组件包括:进气管,其一端与下盖板连接,且进气管的另一端连接有加热箱;出气管,其一端与上盖板连接,且出气管的另一端连接有蓄热箱;以及供气组件,与进气管和出气管连通;其中,下盖板上连接有连接板,且进气管与下盖板连通;以及连接板上开设有多个通孔,位于进气管内气体穿过通孔进入加热腔内。本实用新型可有效改善现有磷化铟单晶生长炉因高温高压对流,产生出现孪晶、空位、晶体滑移等现象的问题。
  • 一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法-202310226703.5
  • 殷利迎;赖占平;程红娟;张丽;王增华;史月增;郝建民;王英民 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 2023-03-10 - 2023-07-14 - C30B29/40
  • 本发明公开了一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法,该方法将一个倒置的坩埚固定在PVT炉内,将原料块放在形状与挡板中心孔形状相同且开有中心孔的原料支撑板上;用支撑杆将原料支撑板自坩埚下方开口处送至上方,并保持原料支撑板外轮廓与挡板中心孔取向的一致;整体旋转一定角度置于挡板上;将籽晶固定在坩埚的下盖上,盖严坩埚下开口,装料过程完成;待生长结束后,取下下盖,用支撑杆深入至原料支撑板底部并顶起旋转一定角度,下移支撑杆,原料支撑板和原料块整体下移,直至从坩埚下开口取出。本发明可以避免频繁移动大重量坩埚的操作,大大简化原料及籽晶的放置和取出,有望实现对气体组分输运以及生长速率的简单控制。
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