[发明专利]一种太阳能电池板及其制备方法在审

申请号：	201811567196.7	申请日：	2018-12-19
公开（公告）号：	CN109686800A	公开（公告）日：	2019-04-26
发明（设计）人：	张晓维;章志斌	申请（专利权）人：	广东汉能薄膜太阳能有限公司
主分类号：	H01L31/0463	分类号：	H01L31/0463;H01L31/18
代理公司：	北京中博世达专利商标代理有限公司 11274	代理人：	李文博
地址：	517000 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明涉及太阳能发电技术领域，尤其涉及一种太阳能电池板及其制备方法。解决了现有技术中电极刻划异常使得单电池间短路甚至使太阳能电池板面临报废的风险的问题。一种太阳能电池板，包括：衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的第一电极层、光电转化层和第二电极层，以及沿第一方向依次排布的N组沟槽；每一组沟槽包括沿第一方向依次排布的非异常的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，其中，所述非异常的第一沟槽贯穿所述第一电极层，所述第二沟槽贯穿所述光电转化层，所述第三沟槽贯穿所述光电转化层和所述第二电极层；N组所述沟槽中的至少一组沟槽中还包括异常的第一沟槽，所述异常的第一沟槽位于所在组中非异常的第一沟槽和第二沟槽之间。
搜索关键词：	太阳能电池板光电转化层第二电极第一电极衬底排布制备贯穿太阳能发电技术依次层叠单电池电极短路刻划报废
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【主权项】：

1.一种太阳能电池板，其特征在于，包括：衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的第一电极层、光电转化层和第二电极层，以及沿第一方向依次排布的N组沟槽，N大于或等于1；每一组所述沟槽包括沿所述第一方向依次排布的非异常的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，其中，所述非异常的第一沟槽贯穿所述第一电极层，所述第二沟槽贯穿所述光电转化层，所述第三沟槽贯穿所述光电转化层和所述第二电极层；N组所述沟槽中的至少一组沟槽中还包括异常的第一沟槽，所述异常的第一沟槽位于所在组中所述非异常的第一沟槽和所述第二沟槽之间。

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摘要：本发明涉及太阳能发电技术领域，尤其涉及一种太阳能电池板及其制备方法。解决了现有技术中电极刻划异常使得单电池间短路甚至使太阳能电池板面临报废的风险的问题。一种太阳能电池板，包括：衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的第一电极层、光电转化层和第二电极层，以及沿第一方向依次排布的N组沟槽；每一组沟槽包括沿第一方向依次排布的非异常的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，其中，所述非异常的第一沟槽贯穿所述第一电极层，所述第二沟槽贯穿所述光电转化层，所述第三沟槽贯穿所述光电转化层和所述第二电极层；N组所述沟槽中的至少一组沟槽中还包括异常的第一沟槽，所述异常的第一沟槽位于所在组中非异常的第一沟槽和第二沟槽之间。

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摘要：本发明涉及太阳能发电技术领域，尤其涉及一种太阳能电池板激光刻线异常的返修方法及太阳能电池板。解决了现有技术中激光刻线异常使得单电池间短路甚至使太阳能电池板面临报废的风险的问题。一种太阳能电池板激光刻线异常的返修方法，通过激光刻线将太阳能电池板沿第一方向分割为多个串联连接的单电池，包括：根据激光刻线异常区域的位置重新确定第一短边绝缘线的刻线位置；在所重新确定的第一短边绝缘线的刻线位置处重新刻划绝缘线，获得第二短边绝缘线，以将激光刻线异常区域隔离在第二短边绝缘线和除第一短边绝缘线之外的其余原绝缘线所围合的区域之外；其中，第一短边绝缘线是原绝缘线中平行于第一方向的任意一条绝缘线。

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摘要：本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于沿基板长度方向由分割线均匀分成至少两个外部并联的子电池，沿基板宽度方向由设置在透明导电前电极层设有刻划P1，沉积硅基薄膜层设有刻划P2，溅射背电极层设有刻划P3，刻划P1、P2、P3依次设置，本发明的关键在于根据PECVD设备沉积膜层的实际情况，按照最佳节宽度公式制作刻划P1、刻划P2和刻划P3，优化了最佳电池条宽度，长度方向分割电池，通过简单的方法将它们相并联，将大面积沉积硅基薄膜层厚度的不均匀性，以及短路点对电池性能的影响降到最低，使硅基薄膜电池在合适输出电压下，同时有最佳的输出电流，通过简单有效的方法充分发挥了大面硅基薄膜电池本身的潜能。

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摘要：本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)和铜锌锡硫(CZTS)等薄膜太阳能电池透光组件的制备方法，其特征在于首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理，完成透光处理后采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划。本发明的优点是解决了不透明金属背电极的薄膜太阳能电池不能制作透光组件的问题，同时采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划，去除背电极Mo层以上的所有膜层，从而避免了在进行透光处理时可能导致的电池内部短路问题，增强了透光处理的可靠性和良品率。另外，由于本发明采用激光刻划的方式，透光比例任意可调，工艺重复性好，因此提高了生产的稳定性，降低生产与维护成本。

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申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L31/0463
摘要：本发明涉及一种用于对基底上的薄层进行激光结构化来制造一体式互连的薄层太阳能电池的方法，该方法具有以下步骤‑提供具有激光波长的激光；‑提供具有第一侧和第二侧的基底(1)，该基底对于激光波长来说是透明的，其中，基底的第一侧具有金属的背电极薄层(2)，并且在金属的背电极薄层(2)上布置有用于薄层太阳能电池的吸收薄层(3)；‑将激光射束(L)射入到基底上；‑使激光射束(L)沿着刻写线在基底(1)上运动和/或使基底(1)相对于激光射束(L)沿着刻写线运动。根据本发明设置的是，激光射束(L)射入到基底(1)的第二侧上、穿过基底(1)落到金属的背电极薄层(2)上并且以在皮秒或飞秒范围内的激光脉冲以如下方式调节并且以如下方式运动，即，沿着刻写线烧蚀掉布置在金属的背电极薄层(2)上的吸收薄层(3)，并且在基底上保留被激光影响过的金属的背电极薄层(2)。

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申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L31/0463
摘要：本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法，包括如下步骤步骤1、采用激光蚀刻法在透明导电层上蚀刻出至少一条预处理沟道；预处理沟道的底面为高阻层的上表面；步骤2、采用激光蚀刻法在每条预处理沟道的一侧分别蚀刻出第一条沟道、第二条沟道、第三条沟道；第一条沟道的一个侧边与预处理沟道连通；第一条沟道的底面为衬底的上表面；第二条沟道位于第一条沟道和第三条沟道之间；第二条沟道的底面为背电极层的上表面；第三条沟道的底面位于高阻层的上表面至背电极层的上表面之间；步骤3、向第一条沟道和预处理沟道内灌注绝缘材料并进行固化；步骤4、采用丝网印刷的方法印刷银浆并进行固化；步骤5、固化电极材料。

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摘要：本发明涉及一种用于生产光伏模块的方法，所述光伏模块包括在薄膜结构中的多个太阳能电池，其中，相继地形成下述部分背面电极(41)、光伏层(46)以及另一个半导体层(43)，所述光伏层通过沉积前驱层(42)并且进行热处理将前驱层转化为半导体材料来获得，所述半导体层用于与所述光伏层(46)形成p‑n结；其特征在于，所述光伏层(42)以局部的方式沉积，以使得背面电极(41)的位于两个相邻电池之间的至少一个区域(410)不存在所述金属前驱，其中，热处理步骤对具有比所述背面电极(41)的其余区域更大的电阻率的所述区域(410)进行改性，从而保证所述两个相邻电池之间的电绝缘。

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申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/0463
摘要：本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池单片集成组件的制备方法，柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池自下而上依次包括：衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、高阻层、透明导电层；制备方法包括：步骤1、采用激光蚀刻法在柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池上蚀刻出至少一组沟道，每组沟道包括第一条沟道、第二条沟道、第三条沟道；第一条沟道的底面为衬底的上表面；第二条沟道位于第一条沟道和第三条沟道之间；第二条沟道的底面为背电极层的上表面；第三条沟道的底面位于高阻层的上表面至背电极层的上表面之间；步骤2、向第一条沟道内灌注绝缘材料并进行固化；步骤3、填充电极材料并固化；步骤4、从单片集成组件引出正、负极，然后进行封装。

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摘要：用于将薄膜器件划分为单独的单元格的方法和设备，薄膜器件具有为下电极层的第一层、为活性层的第二层和为上电极层的第三层，层在器件上各为连续，单元格各具有宽度W，并被互连结构串联互连。单元格的划分和在相邻单元格之间的互连结构的形成由加工头实现，加工头设置为能在器件上来回经过的序列中同时在多于一个互连上操作，加工头进行以下步骤：a）制造穿过第一层、第二层和第三层的第一切口；b）制造穿过第二层和第三层的第二切口，第二切口邻近第一切口；c）制造穿过第三层的第三切口，第三切口邻近进第二切口，并且在第二切口的与第一切口相对的一侧上；d）使用第一喷墨印制头将非传导材料沉积到第一切口内；以及e）使用第二喷墨印制头来施加传导材料，以在第一切口中的非传导材料上搭桥，并且完全或者部分填充第二切口，以便在第一层和第三层之间形成电连接，其中，步骤a）先于步骤d）、步骤d）先于步骤e）、并且步骤b）先于步骤e）（，除此以外，可以在加工头横跨器件的单次经过中以任何顺序实行步骤）。并且在至少一次使加工头在器件上经过的期间，步骤中的至少两个步骤各自在单独的互连结构上被实行。薄膜器件可为太阳能板、照明板或电池。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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