专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于制备薄膜太阳能电池第二道刻线的方法-CN202010660178.4有效
  • 戴万雷 - 唐山科莱鼎光电科技有限公司
  • 2020-07-10 - 2023-05-12 - H01L31/0463
  • 本发明公开了一种用于制备薄膜太阳能电池第二道刻线的方法,该方法主要包括以下步骤:在第二道刻线上覆盖一层增强导电的薄膜,或者在第二道刻线上覆盖一层接触钝化薄膜,所述增强导电的薄膜或者接触钝化薄膜的宽度比第二道刻线宽2~5微米,所述增强导电的薄膜的厚度为100纳米到400纳米,接触钝化薄膜的厚度为2纳米到8纳米。在第二道刻线上形成增强导电的薄膜或者接触钝化薄膜的方法包括激光法、丝网印刷法、网版蒸镀法、喷墨打印法。本发明还公开了一种用于薄膜太阳能电池的刻线方法。采用本发明的方法能够增加薄膜太阳能电池组件短路电流和填充因子,提高薄膜太阳能电池的输出效率。
  • 用于制备薄膜太阳能电池第二道刻线方法
  • [实用新型]一种具有低串联电阻的薄膜太阳能电池-CN202021345611.7有效
  • 戴万雷 - 唐山科莱鼎光电科技有限公司
  • 2020-07-10 - 2021-01-15 - H01L31/0463
  • 本实用新型公开了一种具有低串联电阻的薄膜太阳能电池,是在第二道刻线上设置增强导电的薄膜,薄膜的宽度比第二道刻线宽2~5微米,厚度为100~400纳米,或者在第二道刻线上设置接触钝化薄膜,比第二道刻线宽2~5微米,厚度为2~8纳米。增强导电的薄膜包括功函数介于前电极功函数和背电极功函数之间的导电薄膜,使用导电物质材质,所述导电物质包括金属,包括银、镍、钴、金、铜铟镓合金。接触钝化薄膜由金属氧化物组成,包括氧化钛、氧化铝、氮化硅、氮化铝。本实用新型的具有低串联电阻的薄膜太阳能电池,能够增加薄膜太阳能电池组件短路电流和填充因子,提高薄膜太阳能电池的输出效率。
  • 一种具有串联电阻薄膜太阳能电池

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