[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811473664.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109728079A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林信南;董宁钢 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种晶体管，其包括GaN外延片、源极、栅极、结栅、漏极、中间层，源极和结栅通过互联区域相互连接。本申请还提供一种晶体管制作方法，其包括如下过程：制备GaN外延片，沉积GaN延伸层和p‑GaN层；在GaN外延片上刻蚀出结栅结构；在GaN外延片上刻蚀出栅极窗口，沉积栅介质；在栅极区域沉积金属；制成源极金属电极区、栅极金属电极区、结栅金属电极区和漏极金属电极区；在第一TOES层上刻蚀出互联区域；沉积金属，使得源极金属电极区和结栅金属电极区通过互联区域相互连接。本申请的晶体管制作方法流程简单，可操作性强，所制得的晶体管可防止栅介质过早退化，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 互联区域 刻蚀 源极金属电极 沉积金属 电极区 栅介质 栅金属 源极 沉积 申请 制作 漏极金属电极 延长使用寿命 栅极金属电极 栅极区域 延伸层 栅结构 中间层 漏极 制备 退化 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的源极、栅极、结栅和漏极；形成于所述源极、栅极、结栅和漏极之间的中间层；所述中间层内包括互联区域，所述源极和所述结栅通过所述互联区域相互连接。
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