[发明专利]半导体器件和放大器组件在审
| 申请号： | 201811346101.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786366A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 田能村昌宏 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;崔利梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件和实现所述半导体器件的放大器组件。所述半导体器件是一种多尔蒂放大器，包括用于多尔蒂放大器的载波放大器的第一晶体管元件和用于峰值放大器的第二晶体管元件。多尔蒂放大器的特征是第一晶体管元件和第二晶体管元件交替地设置在共用的半导体衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管元件 多尔蒂放大器 放大器组件 峰值放大器 载波放大器 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种多尔蒂放大器类型的半导体器件，其放大射频信号，所述半导体器件包括：多个第一晶体管元件，其作为所述多尔蒂放大器的载波放大器共同地工作，所述载波放大器相对于所述射频信号线性地工作；以及多个第二晶体管元件，其作为所述多尔蒂放大器的峰值放大器共同地工作，所述峰值放大器在所述载波放大器饱和后工作；其中所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件交替地设置在共用的半导体衬底上。
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