[发明专利]半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括顺序堆叠的第一电介质层、半导体层和第二电介质层、以及在第二电介质层中并在第一方向上延伸的第一导电线。该半导体存储器件还包括垂直地延伸穿过堆叠结构的第二导电线、以及在堆叠结构中并与第二导电线间隔开的电容器。半导体层包括在第一导电线与衬底之间在交叉第一方向的第二方向上延伸的半导体图案。第二导电线在沿第一方向彼此相邻的成对的半导体图案之间。每个半导体图案的一端电连接到电容器的第一电极。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的多个层，所述多个层的每个包括：顺序堆叠的第一电介质层、半导体层和第二电介质层；以及第一导电线，在所述第二电介质层中并且在第一方向上延伸；第二导电线，垂直地延伸穿过所述堆叠结构；以及电容器，在所述堆叠结构中并且与所述第二导电线间隔开，所述电容器包括第一电极，其中所述半导体层包括半导体图案，所述半导体图案在所述第一导电线与所述衬底之间在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，其中所述第二导电线在沿所述第一方向彼此相邻的成对的所述半导体图案之间，以及其中所述半导体图案中的至少一个的一端电连接到所述第一电极。