[发明专利]铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201811216853.3 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN109273544A 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 来霸;卫成刚 申请(专利权)人: 华夏易能(南京)新能源有限公司
主分类号: H01L31/0392 分类号: H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 北京尚伦律师事务所 11477 代理人: 毛宏宝
地址: 210000 江苏省南京市南京经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明关于一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池。该方法包括:在惰性气体的等离子体环境下,对带钼膜的衬底蒸发硒;蒸发硒过程中,对衬底施以第一偏置电压值,使惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击衬底上的硒原子;在对衬底施加的偏置电压从第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中,共蒸发铟、镓和硒,使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子;共蒸发铜和硒,得到富铜的薄膜;在对衬底施以第三偏置电压值,且在具有惰性气体的等离子体环境下,共蒸发铟、镓和硒,使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子,得到富铟的铜铟镓硒薄膜。该技术方案可获得晶体结构优良、缺陷少的铜铟镓硒薄膜。
搜索关键词: 衬底 偏置电压 铜铟镓硒薄膜 等离子体 惰性气体 共蒸发 硒原子 等离子体环境 太阳能电池 粒子轰击 铟原子 镓原子 制备 蒸发 等离子体形成 晶体结构 钼膜 薄膜 轰击 粒子 施加
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,其特征在于,包括:在惰性气体的等离子体环境下,对带有钼膜的衬底进行蒸发硒的处理;在蒸发硒的过程中,对所述衬底施以第一偏置电压值,使所述惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击蒸发至所述衬底上的硒原子;在对所述衬底施加的偏置电压从所述第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中,共蒸发沉积铟、镓和硒,使所述等离子体荷能粒子轰击蒸发至所述衬底上的铟原子、镓原子和硒原子;共蒸发沉积铜和硒,得到富铜的薄膜;在对所述衬底施以第三偏置电压值,且在具有所述惰性气体的等离子体环境下,共蒸发沉积铟、镓和硒,使所述等离子体荷能粒子轰击蒸发至所述衬底上的铟原子、镓原子和硒原子,得到表面富铟的铜铟镓硒薄膜。
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