[发明专利]铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池在审
申请号: | 201811216853.3 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109273544A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 来霸;卫成刚 | 申请(专利权)人: | 华夏易能(南京)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人: | 毛宏宝 |
地址: | 210000 江苏省南京市南京经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明关于一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池。该方法包括:在惰性气体的等离子体环境下,对带钼膜的衬底蒸发硒;蒸发硒过程中,对衬底施以第一偏置电压值,使惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击衬底上的硒原子;在对衬底施加的偏置电压从第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中,共蒸发铟、镓和硒,使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子;共蒸发铜和硒,得到富铜的薄膜;在对衬底施以第三偏置电压值,且在具有惰性气体的等离子体环境下,共蒸发铟、镓和硒,使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子,得到富铟的铜铟镓硒薄膜。该技术方案可获得晶体结构优良、缺陷少的铜铟镓硒薄膜。 | ||
搜索关键词: | 衬底 偏置电压 铜铟镓硒薄膜 等离子体 惰性气体 共蒸发 硒原子 等离子体环境 太阳能电池 粒子轰击 铟原子 镓原子 制备 蒸发 等离子体形成 晶体结构 钼膜 薄膜 轰击 粒子 施加 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,其特征在于,包括:在惰性气体的等离子体环境下,对带有钼膜的衬底进行蒸发硒的处理;在蒸发硒的过程中,对所述衬底施以第一偏置电压值,使所述惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击蒸发至所述衬底上的硒原子;在对所述衬底施加的偏置电压从所述第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中,共蒸发沉积铟、镓和硒,使所述等离子体荷能粒子轰击蒸发至所述衬底上的铟原子、镓原子和硒原子;共蒸发沉积铜和硒,得到富铜的薄膜;在对所述衬底施以第三偏置电压值,且在具有所述惰性气体的等离子体环境下,共蒸发沉积铟、镓和硒,使所述等离子体荷能粒子轰击蒸发至所述衬底上的铟原子、镓原子和硒原子,得到表面富铟的铜铟镓硒薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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