[发明专利]场效应晶体管及其方法在审
| 申请号： | 201811112091.2 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109560138A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;B·格罗特 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管及其方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽，其中所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。在所述沟槽中形成竖直场板。所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间。在所述沟槽中形成栅电极，其中所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，并且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板。在所述沟槽中形成介电材料，所述介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间。在所述沟槽中形成空气腔，所述空气腔介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，其中所述空气腔的介电常数低于所述介电材料的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 场板 竖直 第一侧壁 第二侧壁 介电材料 空气腔 栅电极 场效应晶体管 介电常数 晶体管 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：在半导体衬底中形成的沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁；在所述沟槽中形成的竖直场板，所述竖直场板位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间；在所述沟槽中形成的栅电极，所述栅电极的第一边缘接近所述第一侧壁，且所述栅电极的第二边缘接近所述竖直场板；在所述沟槽中形成的介电材料，所述介电材料介于所述第一侧壁与所述竖直场板之间；以及在所述沟槽中形成的空气腔，所述空气腔介于所述竖直场板与所述第二侧壁之间，所述空气腔的介电常数低于所述介电材料的介电常数。
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