[发明专利]具有双向电平传输的凹槽型漏极结构的MOSFET器件有效
| 申请号： | 201811081510.0 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109216440B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;胡汶金;欧阳钢;任敏;高巍;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有双向电平传输的凹槽型漏极结构的MOSFET器件，包括：p型衬底、p型外延层、n型漂移层、p型体区、凹槽第一漏极、第一漏极N+注入区、凹槽第二漏极、第二漏极N+注入区、凹槽栅极、栅氧介质层、p型轻掺杂第一RESURF区以及p型轻掺杂第二RESURF区；本发明实现了MOSFET的完全对称结构，在保证一定的栅极和漏极沟槽深度的前提下，器件可以实现双向电平传输，减少利用电路进行双向电平传输时带来的不可避免的损耗；利用凹槽技术，改善器件的栅控能力，同时可减小载流子的传输距离降低导通电阻，提高了器件的可靠性；利用RESURF技术，保证了表面击穿电场的提高，同时也可降低器件导通电阻，进一步提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双向 电平 传输 凹槽 型漏极 结构 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有双向电平传输的凹槽型漏极结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：p型衬底(1)、p型外延层(2)、n型漂移层(3)、p型体区(4)、凹槽第一漏极(5)、第一漏极N+注入区(6)、凹槽第二漏极(7)、第二漏极N+注入区(8)、凹槽栅极(9)、栅氧介质层(10)、p型轻掺杂第一RESURF区(11)以及p型轻掺杂第二RESURF区(12)；凹槽栅极(9)位于n型漂移区(3)上表面中间位置；凹槽栅极正下方为防止栅极漏电的栅氧介质层(10)；凹槽第一漏极(5)和凹槽第二漏极(7)在凹槽栅极(9)两侧关于凹槽栅极(9)左右对称；第一漏极N+注入区(6)将凹槽第一漏极(5)完全包围用来形成欧姆接触；第二漏极N+注入区(8)将凹槽第二漏极(7)完全包围用来形成欧姆接触；p型轻掺杂第一RESURF区(11)位于凹槽栅极(9)和凹槽第一漏极(5)之间；p型轻掺杂第二RESURF区(12)位于凹槽栅极(9)和凹槽第二漏极(7)之间；p型衬底(1)位于器件最底部；p型外延层(2)位于n型漂移层正下方以及p型衬底(1)的正上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811081510.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
