[发明专利]为使沉积留存增加而用于表面纹理化的几何形状和图案有效
| 申请号： | 201811076686.7 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN109599327B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王建奇;威廉·明谕·吕;西村由香里;约瑟夫·F·萨默斯;罗绍安;拉扬·巴勒森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;B05C21/00;C23C14/56;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。所述处理腔室部件以在此描述的方式制造，并包括在腔室部件的表面上至少一宏观纹理的产生。所述宏观纹理由多个经设计的特征结构所限定，所述经设计的特征结构在腔室部件的表面上以预定方向布置。在某些实施方式中，这些经设计的特征结构避免在这些特征结构之间限定的视线表面的形成，以增强在腔室部件上沉积的膜留存。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 留存 增加 用于 表面 纹理 几何 形状 图案 | ||
【主权项】：
1.一种物件，所述物件具有经图案化的表面以增强沉积膜的留存，所述物件包括：处理腔室部件，所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面，所述经设计的特征结构被布置成避免跨越所述宏观纹理化表面形成视线表面，其中所述经设计的特征结构的一个或更多个特征结构具有凹表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811076686.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法
- 下一篇：一种碳化硅芯片的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
