[发明专利]一种碳化硅芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201811499695.7 | 申请日： | 2018-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN109599328A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈力颖 | 申请（专利权）人： | 天津力芯伟业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都正象知识产权代理有限公司 51252 | 代理人： | 李姗姗 |
| 地址： | 300000 天津市西青区西青学*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅芯片的制作方法，将其中的第一块分层半导体衬底进行氧化，衬底上形成的加强缓冲层、分层、P型层、透明导电层、正电极和负电极；在分层半导体衬底的硅表面形成包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料；对分层半导体衬底表面的包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料进行光刻与刻蚀，形成介质埋层；半导体衬底表面生成的氧化层；根据加工余量，分别对两块经过处理的半导体衬底进行减薄处理，在减薄处理的过程中将介质埋层控制在设计的深度，形成芯片制作中间体；最后完成芯片的制作过程。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 分层 半导体 半导体衬底表面 碳化硅芯片 氮氧化物 减薄处理 介质埋层 绝缘材料 氧化硅 透明导电层 加工余量 芯片制作 制作过程 负电极 硅表面 缓冲层 氧化层 正电极 光刻 刻蚀 制作 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅芯片的制作方法，包括衬底，其特征在于：选取两块半导体衬底；将其中的第一块分层半导体衬底进行氧化，衬底上形成的加强缓冲层、分层、P型层、透明导电层、正电极和负电极；在分层半导体衬底的硅表面形成包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料；对分层半导体衬底表面的包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料进行光刻与刻蚀，形成介质埋层；半导体衬底表面生成的氧化层；根据加工余量，分别对两块经过处理的半导体衬底进行减薄处理，在减薄处理的过程中将介质埋层控制在设计的深度，形成芯片制作中间体；最后完成芯片的制作过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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