[发明专利]半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供具有第一区域与第二区域的基底，第一区域与第二区域交界处具有第一边界，在第二区域上形成栅极多晶硅层，且栅极多晶硅层靠近第一区域的一侧具有一第二边界，在基底上依次形成栅极金属层与栅极保护层，接着依次刻蚀栅极保护层、栅极金属层和栅极多晶硅层，使所最终形成的虚拟晶体管更加靠近所述第一区域，从而节省了第二区域的面积，提高了半导体器件的面积利用率。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；形成栅极多晶硅层在所述基底上，所述栅极多晶硅层位于所述第二区域，并且在靠近所述第一区域的一侧具有一第二边界；依次形成栅极金属层与栅极保护层在所述基底上，所述栅极金属层和所述栅极保护层覆盖所述栅极多晶硅层，并从所述栅极多晶硅层的所述第二边界延伸至所述第一区域中；以及依次刻蚀所述栅极保护层、所述栅极金属层和所述栅极多晶硅层，以形成相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形在所述第二区域上，所述虚拟栅极图形的栅极多晶硅层具有所述第二边界，所述虚拟栅极图形的栅极金属层和栅极保护层覆盖栅极多晶硅层并延伸至所述第二边界与所述第一边界之间，以使所述虚拟栅极图形的高度从所述第二边界至所述第一边界逐渐降低；形成介质层在所述基底上并进行平坦化。