[发明专利]一种漂移阶跃恢复二极管在审
| 申请号： | 201810962364.6 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109065636A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;高吴昊;邓操;谯彬;左慧玲;夏云;刘超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种漂移阶跃恢复二极管。本发明对常规p+‑p‑n0‑n+漂移阶跃恢复二极管的耐压基区进行了改造，通过将均匀掺杂的n0基区改变为超结结构，即超结耐压基区3，从而改变了漂移阶跃恢复二极管在脉冲放电的反向泵浦阶段的载流子抽取路径，使纵向和横向都可以进行载流子的抽取，大大减少了少数载流子的平均移动距离，从而加速了少数载流子的抽取速度，使得反向泵浦阶段的时间降低，脉冲放电回路中的负载上形成的电压脉冲前沿的电压变化率更大、时间更短。本发明的超结基区结构使用常规的超结工艺，无需额外开发新的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移阶跃恢复二极管 超结 基区 载流子 抽取 少数载流子 泵浦 耐压 功率半导体技术 脉冲放电回路 电压变化率 超结结构 电压脉冲 基区结构 均匀掺杂 脉冲放电 时间降低 常规的 改造 开发 | ||
【主权项】：
1.一种漂移阶跃恢复二极管，其元胞结构包括自下而上依次层叠设置的N型欧姆接触电极(1)、N型重掺杂阴极区(2)、超结耐压基区(3)、P型等离子存储层(4)、P型重掺杂阳极(5)、P型欧姆接触电极(6)；所述超结耐压基区(3)由并列设置的N‑柱区(31)与P‑柱区(32)构成。
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