[发明专利]蚀刻方法和蚀刻处理装置在审
| 申请号： | 201810959062.3 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN111916350A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 斋藤祐介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/11551;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种在维持规定的蚀刻特性的同时抑制电弧放电的蚀刻方法和蚀刻处理装置。所述蚀刻方法向处理容器内供给气体、第一频率的高频电力以及比该第一频率低的第二频率的高频电力，来对形成于为浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，所述蚀刻方法包括以下工序：当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来对所述含硅膜进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
