[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201810913496.X | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109148595B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，包括栅极层、设置在栅极层上的光折射层、设置在光折射层上的绝缘层、设置在绝缘层上的有源层和设置在有源层上的有漏层。本发明通过光折射层的设置，并在栅极层和源漏层形成的寄生电容的作用下，改变光折射层的折射率，使背光源的入射光发生偏转，进而改善薄膜晶体管处于ON状态和OFF状态时的光电载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，用于显示装置，其特征在于，包括：基板，栅极层，设置在所述基板上；光折射层，设置在所述栅极层上，至少覆盖所述栅极层的两侧；绝缘层，设置在所述光折射层上；有源层，设置在所述绝缘层上；以及源漏层，设置在所述有源层上；其中所述有源层包括与所述栅极层交叠形成的沟道区，所述光折射层用于使背光源的入射光发生折射，当所述薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区；当所述薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区之外。
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