[发明专利]半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺在审
| 申请号： | 201810879487.3 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109100879A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李彬;唐波;李志华;张鹏;余金中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;霍文娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺。该半导体器件的制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；步骤S2，在各接触电极的远离基底的表面上以及两个接触电极之间的基底的表面上设置加热电极，各接触电极的远离基底的表面的部分裸露。该制作方法中，在接触电极的表面上直接设置加热电极，该方法避免了现有技术中在接触电极和加热电极之间设置通孔连接层，有效减少工艺步骤，减少光刻板层数，降低流片周期，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 接触电极 基底 半导体器件 加热电极 集成芯片 制作工艺 制作 工艺步骤 间隔设置 有效减少 直接设置 光刻板 连接层 流片 通孔 裸露 节约 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在基底的表面上间隔设置两个接触电极；以及步骤S2，在各所述接触电极的远离所述基底的表面上以及两个所述接触电极之间的所述基底的表面上设置加热电极，各所述接触电极的远离所述基底的表面的部分裸露。
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