[发明专利]一种CMP复合沟槽抛光垫在审
| 申请号： | 201810875035.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108994723A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 但文涛;张莉娟 | 申请（专利权）人： | 成都时代立夫科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/26 | 分类号： | B24B37/26 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 蒋秀清;李春芳 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMP复合沟槽抛光垫，包括抛光垫基材和设在抛光垫基材中间的旋转中心，还包括抛光垫基材上开有的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽首尾相连通构成花瓣仿生的复合沟槽。所述第一沟槽是由至少2条沿抛光垫基材的径向分布且以旋转中心为起点、以抛光垫基材的边缘为终点的半圆形曲线组成的正螺旋对数状沟槽。所述第二沟槽是由至少2条沿抛光垫基材的径向分布且以旋转中心为起点、以抛光垫基材的边缘为终点的反向半圆形曲线组成的负螺旋对数状沟槽。构成的花瓣仿生的复合沟槽，使抛光液运送分布均匀，提高对晶圆的抛光去除速率，延长抛光液的驻留时间及方便废抛光液排出，在工作时沟槽不会出现堵塞。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光垫基材 旋转中心 抛光液 复合 半圆形曲线 径向分布 抛光 花瓣 首尾相连 驻留 抛光垫 正螺旋 晶圆 排出 去除 堵塞 运送 | ||
【主权项】：
1.一种CMP复合沟槽抛光垫，包括抛光垫基材(1)和设在抛光垫基材(1)中间的旋转中心(101)，其特征在于，还包括抛光垫基材(1)上开有的第一沟槽(2)、第二沟槽(3)和第三沟槽(4)，所述第一沟槽(2)和第二沟槽(3)首尾相连通构成花瓣仿生的复合沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都时代立夫科技有限公司，未经成都时代立夫科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810875035.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：去除速率和平坦化改善的化学机械抛光垫
- 下一篇：一种磨床用夹装台
- 同类专利
- 化学机械抛光垫-201822126821.6
- 张泽芳;彭诗月 - 上海映智研磨材料有限公司
- 2018-12-18 - 2019-10-08 - B24B37/26
- 本实用新型提供一种化学机械抛光垫，所述抛光垫整体呈圆形，所述抛光垫的中央部分为抛光区，所述抛光区为圆形，所述抛光区上设置内凹槽，所述内凹槽呈网络状分布在抛光区，所述内凹槽将抛光区分割成若干大小一致、均匀排布的正多边形或者圆形，所述抛光垫除抛光区以外的部分为外凹槽区，所述外凹槽区设置若干均匀排布的弧度方向一致的弧形外凹槽，所述外凹槽的一端延伸至抛光区、另外一端延伸至抛光垫的边缘，所述外凹槽与内凹槽连通；所述外凹槽宽度为2‑5.5mm，相邻两个所述外凹槽之间的距离是为5mm‑20mm，所述内凹槽的槽底所在的水平面不低于外凹槽的槽底所在的水平面。采用本装置排屑能力高，提高了抛光效率。
- 一种研磨垫-201910627047.3
- 夏威;韩斌;辛君;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
- 2019-07-11 - 2019-09-20 - B24B37/26
- 本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种研磨垫。本申请提供一种研磨垫，所述研磨垫的研磨面包括：一个以上凹部，用于在研磨晶圆时容纳研磨液；一个以上凸部，用于研磨晶圆，所述凸部与所述凹部交替排列，其中，至少一个所述凸部内包括中空结构。本申请提供的一种研磨垫，通过在所述凸部中形成中空结构，在所述中空结构内填充研磨液，随着研磨工艺的进行，所述中空结构中的研磨液参与研磨，增加了研磨液与晶圆的接触面积占比率，稳定了CMP工艺的研磨速率和效率。
- 低缺陷多孔抛光垫-201710644484.7
- H·桑福德-克瑞;罗水源 - 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
- 2017-08-01 - 2019-08-13 - B24B37/26
- 抛光垫适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个。抛光层具有开孔聚合基质、抛光表面，所述抛光层中的多个凹槽。多个凸出槽脊区域用从所述底部多个凸出槽脊区域向外并且向下延伸的锥形支撑结构支持。所述多个凸出槽脊区域具有小于所述多个凹槽的平均宽度的平均宽度，以便减少所述凸出槽脊区域的抛光停留时间并且增加所述凹槽区域的碎屑去除停留时间到大于所述抛光停留时间的值。
- 化学机械研磨垫-201821519455.4
- 王盼;蔡长益 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-18 - 2019-07-16 - B24B37/26
- 本实用新型提供一种化学机械研磨垫，该化学机械研磨垫包括：基底及形成于所述基底上的研磨层，其中所述研磨层的表面具有：多个均匀有序分布的微突起结构；多个沟槽，形成于多个所述微突起结构之间；其中，所述研磨层表面的孔隙率为30％～50％。该研磨垫提高了化学机械研磨速率，降低了所处理晶圆的表面刮伤，并保证了研磨后晶圆间的均一性。
- 晶片抛光垫和使用该晶片抛光垫进行晶片抛光的方法-201811547580.0
- 金石烈;金圣协;李尚勋 - 三星电子株式会社
- 2018-12-18 - 2019-07-05 - B24B37/26
- 一种晶片抛光垫包括第一垫，该第一垫具有构造成接收台板的第一表面。突起设置在第一垫的第一表面上。突起设置在第一垫的在平面图中的边缘区域上，使得当第一垫设置在台板上时，突起的侧表面与台板的侧表面接触。
- 抛光垫-201821474243.9
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-10 - 2019-06-28 - B24B37/26
- 本公开提出一种抛光垫，具有抛光表面，抛光表面上设有多个研磨槽。多个研磨槽包括多个主研磨槽和多个子研磨槽，多个主研磨槽呈网格状分布并界定出呈阵列分布的多个矩形区域，每个矩形区域中分别设有至少一个子研磨槽。据此，本公开提出的抛光垫能够具备较佳的抛光效果，且不会产生毛刺。
- 抛光垫-201821474268.9
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-10 - 2019-06-28 - B24B37/26
- 本公开提出一种抛光垫，具有抛光表面，抛光表面上设有多个研磨槽。定义一参考平面，参考平面垂直于研磨槽的延伸方向，研磨槽的槽腔在参考平面上的正投影呈倒梯形。本公开提出的抛光垫的研磨槽的槽口宽度大于槽底宽度，使得抛光过程中存在于研磨槽中的杂质较容易被去除，从而改善研磨缺陷。
- 一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置-201910327448.7
- 彭寿;张冲;侯建伟;刘文瑞;朱永迁 - 蚌埠中光电科技有限公司
- 2019-04-23 - 2019-06-21 - B24B37/26
- 本发明涉及一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置，包括玻璃托架（6），玻璃托架上设置有吸附垫（5），吸附垫上放置玻璃（4），另设有研磨盘（1），研磨盘的中心设有进料孔（3）、底部设有抛光垫（2），其特征在于：抛光垫（2）的底面为凹球面形，凹球面中抛光垫中心孔和边缘高度差L/研磨盘半径R为(0.009‑0.11)mm/10cm。由于采用了上述技术方案，使得本发明具有以下优点：本发明采用修正盘修正抛光垫的形状，将抛光垫修为中间凹的凹球面形状，改善距进料孔近抛光液多，距进料孔远抛光液少的问题，即改善了抛光液分布不均匀、抛光液扩散量与距离成反比的问题，争取达到在玻璃和抛光垫之间形成均匀的抛光液覆盖，保证抛光效果。
- 晶片端面研磨垫、晶片端面研磨装置及晶片端面研磨方法-201710240213.5
- 谷本龙一;安藤慎;山田康生 - 胜高股份有限公司
- 2017-04-13 - 2019-05-10 - B24B37/26
- 提供一种能够抑制浆液的飞散、减少端面研磨后的晶片的背面的亮点缺陷的晶片端面研磨垫。本发明是一种晶片端面研磨垫，前述垫的由正面及背面构成的主面的形状为大致矩形，前述垫用于将晶片的端面研磨，其特征在于，多条槽或多条缺口以在前述垫的长边方向上隔开间隔的方式，沿着前述垫的短边方向配置，前述多条槽或多条缺口仅在前述垫的短边方向一端开口，或者，以仅到达前述垫的短边方向一端的方式，遍及前述垫的长边方向配置前述垫的厚度减小的台阶面，或者，以仅到达前述垫的短边方向一端的方式，遍及前述垫的长边方向配置斜坡面，前述斜坡面与前述正面相邻，前述垫的厚度沿着前述垫的短边方向朝向前述短边方向一端逐渐减少。
- 晶片端面研磨垫、晶片端面研磨装置及晶片端面研磨方法-201710240609.X
- 谷本龙一;安藤慎;山田康生 - 胜高股份有限公司
- 2017-04-13 - 2019-05-10 - B24B37/26
- 提供一种能够抑制浆液的飞散、减少端面研磨后的晶片的背面的亮点缺陷的晶片端面研磨垫。本发明是一种晶片端面研磨垫，前述垫的由正面及背面构成的主面的形状为大致矩形，前述垫用于将晶片的端面研磨，其特征在于，多条槽以在前述垫的长边方向上隔开间隔的方式，沿着前述垫的短边方向配置，前述多条槽在前述垫的短边方向两端开口。
- 抛光垫-201821473678.1
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-10 - 2019-05-07 - B24B37/26
- 本公开提出一种抛光垫，具有抛光表面，抛光表面上设有多个研磨槽。研磨槽在抛光表面上的正投影轨迹呈波浪形，且该波浪形的正投影轨迹符合简谐运动的运动轨迹。本公开提出的抛光垫的波浪形正投影研磨槽具有较高的研磨液承载量，即具有较高的研磨率，同时降低了研磨缺陷，使得抛光垫的研磨率和研磨缺陷得到同时改善。
- 抛光垫-201821473729.0
- 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-10 - 2019-05-07 - B24B37/26
- 本公开提出一种抛光垫，具有抛光表面，抛光表面上设有研磨槽。其中，研磨槽的槽深在由抛光垫中心位置至抛光垫边缘位置的方向上渐增。本公开提出的抛光垫在抛光过程中，当抛光垫的转速一定的情况下，根据经典力学原理可知上述研磨槽槽深渐增的设计能够加快研磨液的流速。
- 一种金刚石陶瓷减薄垫-201821477390.1
- 颜杰钦;郭东勇;李泽辉;颜均城 - 台山市远鹏研磨科技有限公司
- 2018-09-10 - 2019-04-16 - B24B37/26
- 本实用新型公开了一种金刚石陶瓷减薄垫，包括基材和研磨层，所述研磨层设置在所述基材的顶面，所述研磨层设置有相互交错的排屑槽，所述排屑槽之间形成有凸出的研磨台，所述研磨台表面设置有凸起部，所述凸起部为圆台状；所述基材设置有沿竖直方向贯穿所述基材和研磨层的排屑孔，所述排屑孔连通至所述排屑槽；所述基材内设置有散热通道，所述散热通道包括进水管道、出水管道和多条环形管道组成，多条所述环形管道的圆心相同，所述进水管道均与多条所述环形管道连通，所述出水管道均与多条所述环形管道连通。
- 一种金刚石玻璃减薄垫-201821480922.7
- 颜杰钦;郭东勇;李泽辉;颜均城 - 台山市远鹏研磨科技有限公司
- 2018-09-10 - 2019-04-16 - B24B37/26
- 本实用新型一种金刚石玻璃减薄垫，包括基材和研磨层，所述研磨层设置在所述基材的顶面，所述研磨层设置有相互交错的排屑槽，所述排屑槽之间形成有凸出的研磨台，所述研磨台表面设置有凸起部，所述凸起部为半球状；所述基材内设置有多条散热槽，所述散热槽之间相互连通；所述基材的表面设置有安装耳。本实用新型的一种金刚石玻璃减薄垫结构简单，散热好，形状较为稳定。
- 工件研磨垫、晶圆双面研磨方法及其研磨装置-201910072108.4
- 崔世勋;具成旻;李昀泽;白宗权 - 西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 2019-01-25 - 2019-04-09 - B24B37/26
- 本发明提供一种工件研磨垫、晶圆双面研磨方法及其研磨装置，所述研磨垫应用于工件双面研磨装置，所述研磨垫上开设有凹槽，从所述研磨垫的中心至边缘的方向上，所述研磨垫划分为至少两个研磨区域，所述至少两个研磨区域中的凹槽的槽宽不同，和/或，所述至少两个研磨区域中的凹槽之间的凸台的宽度不同。本发明的工件研磨垫，能够调整研磨垫与晶圆之间滑动摩擦的距离比例，防止晶圆边缘塌边，提高晶圆双面研磨的平整度。
- 化学机械研磨装置-201821243044.7
- 沈新林;王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
- 2018-08-02 - 2019-03-29 - B24B37/26
- 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。所述化学机械研磨装置，包括研磨垫和修整组件；所述研磨垫包括同轴设置的多个区域，且多个区域沿所述研磨垫的径向方向自中心向边缘分布；所述修整组件包括修整盘，用于对多个区域一一采用多种不同的修整盘转速进行修整，且所述修整盘转速沿自所述研磨垫的中心向边缘的方向依次减小。本实用新型有效避免了修整盘在修整研磨垫的过程中，因沿所述研磨垫径向方向上的切线速度不一致而导致的修整后研磨垫厚度不均匀的问题。
- 抛光垫及研磨设备-201821070050.7
- 朱顺全;吴晓茜;张季平;车丽媛 - 湖北鼎龙控股股份有限公司;湖北鼎汇微电子材料有限公司
- 2018-07-06 - 2019-02-01 - B24B37/26
- 抛光垫，包括：垫片本体，具有研磨面；至少两个相互套设的圈形槽，设置在研磨面上；以及至少一条线形沟槽，设置在研磨面上，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通，其中，线形沟槽的深度是变化的，深度随着距离最内圈的圈形槽的中心处距离的增加而增加。一方面，在垫片本体的研磨面上设置有相互套设的圈形槽，其能够封住进入抛光垫的抛光液使得抛光液保持适宜的驻留时间，起到抛光的效果。另一方面，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通的线形沟槽，其能够将完成抛光过程的抛光液从圈形槽中导出，特别是因为线形槽的深度随着距离最内圈的圈形槽的中心距离的增加而增加，在该斜面的作用下，抛光液可以依靠重力而自然排出。
- 铣槽的加工方法-201710580655.4
- 姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;罗明浩;钱百峰 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
- 2017-07-17 - 2019-01-25 - B24B37/26
- 一种铣槽的加工方法，包括：提供待加工件，所述待加工件的材料为聚苯硫醚；提供铣刀，所述铣刀为钨钢铣刀；利用所述铣刀在所述待加工件上形成铣槽。采用钨钢铣刀在所述待加工件上形成铣槽；钨钢铣刀的硬度、耐磨性和任性均较高，而且锋锐度合适，能够有效减小与所述待加工件材料之间的切削力，能够有效实现对聚苯硫醚材料的铣削，有利于减少崩角现象的出现，并提高铣槽边缘的光滑度，有利于提高所形成铣槽的性能，有利于改善产品质量。
- 一种阻挡型化学机械研磨垫及研磨装置-201510690195.1
- 唐强;张溢钢 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 2015-10-22 - 2019-01-22 - B24B37/26
- 本发明提供一种阻挡型化学机械研磨垫及研磨装置，涉及半导体技术领域。包括：研磨垫底层；位于研磨垫底层上的研磨垫表层，其中，所述研磨垫表层中设置有以研磨垫的中心为圆心，同心地布置的多个间隔的圆环形沟槽；以及设置在每个所述沟槽中分别靠近所述沟槽两侧侧壁的多个第一阻挡块和多个第二阻挡块。本发明的阻挡型化学机械研磨垫具有以下优点：1、可以提高研磨垫上的研磨液副产物的去除效率及研磨液的更新，确保晶圆研磨质量。2、在研磨垫中间部分加深沟槽能有效提高晶圆中心区域的研磨速率，因为沟槽内研磨液存储多。3、比较显著的降低微米级刮伤。4、局部阻挡块在局部阻挡了研磨液流速，使其不易于快速流失，达到降低生产成本的目的。
- 一种金刚石陶瓷减薄垫-201811053065.7
- 颜杰钦;郭东勇;李泽辉;颜均城 - 台山市远鹏研磨科技有限公司
- 2018-09-10 - 2019-01-15 - B24B37/26
- 本发明公开了一种金刚石陶瓷减薄垫，包括基材和研磨层，所述研磨层设置在所述基材的顶面，所述研磨层设置有相互交错的排屑槽，所述排屑槽之间形成有凸出的研磨台，所述研磨台表面设置有凸起部，所述凸起部为圆台状；所述基材设置有沿竖直方向贯穿所述基材和研磨层的排屑孔，所述排屑孔连通至所述排屑槽；所述基材内设置有散热通道，所述散热通道包括进水管道、出水管道和多条环形管道组成，多条所述环形管道的圆心相同，所述进水管道均与多条所述环形管道连通，所述出水管道均与多条所述环形管道连通。
- 一种CMP复合沟槽抛光垫-201810875035.8
- 但文涛;张莉娟 - 成都时代立夫科技有限公司
- 2018-08-03 - 2018-12-14 - B24B37/26
- 本发明公开了一种CMP复合沟槽抛光垫，包括抛光垫基材和设在抛光垫基材中间的旋转中心，还包括抛光垫基材上开有的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽首尾相连通构成花瓣仿生的复合沟槽。所述第一沟槽是由至少2条沿抛光垫基材的径向分布且以旋转中心为起点、以抛光垫基材的边缘为终点的半圆形曲线组成的正螺旋对数状沟槽。所述第二沟槽是由至少2条沿抛光垫基材的径向分布且以旋转中心为起点、以抛光垫基材的边缘为终点的反向半圆形曲线组成的负螺旋对数状沟槽。构成的花瓣仿生的复合沟槽，使抛光液运送分布均匀，提高对晶圆的抛光去除速率，延长抛光液的驻留时间及方便废抛光液排出，在工作时沟槽不会出现堵塞。
- 具有同心或大致同心多边形槽图案的抛光垫-201610091895.3
- W·C·阿里森;D·斯科特;A·W·辛普森 - 嘉柏微电子材料股份公司
- 2012-01-19 - 2018-12-14 - B24B37/26
- 描述了具有同心或大致同心的多边形槽图案的抛光垫。还描述了制造具有同心或大致同心的多边形槽图案的方法。
- 化学机械研磨垫及其制备方法-201811084488.5
- 王盼;蔡长益 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-09-18 - 2018-12-11 - B24B37/26
- 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制备方法，该化学机械研磨垫包括：基底及形成于所述基底上的研磨层，其中所述研磨层的表面具有：多个均匀有序分布的微突起结构；多个沟槽，形成于多个所述微突起结构之间；其中，所述研磨层表面的孔隙率为30％～50％。通过利用多孔阳极氧化铝为模板，采用纳米复制技术制备出新型的表面拥有可调控纳米阵列结构的化学机械研磨垫，该研磨垫提高了化学机械研磨速率，降低了所处理晶圆的表面刮伤，并保证了研磨后晶圆间的均一性。
- 一种金刚石玻璃减薄垫-201811051424.5
- 颜杰钦;郭东勇;李泽辉;颜均城 - 台山市远鹏研磨科技有限公司
- 2018-09-10 - 2018-11-30 - B24B37/26
- 本发明一种金刚石玻璃减薄垫，包括基材和研磨层，所述研磨层设置在所述基材的顶面，所述研磨层设置有相互交错的排屑槽，所述排屑槽之间形成有凸出的研磨台，所述研磨台表面设置有凸起部，所述凸起部为半球状；所述基材内设置有多条散热槽，所述散热槽之间相互连通；所述基材的表面设置有安装耳。本发明的一种金刚石玻璃减薄垫结构简单，散热好，形状较为稳定。
- 用于化学机械抛光的纹理化的小垫-201780019865.4
- 吴政勋;E·C·苏亚雷斯;J·G·方;E·刘;K·Y·兴;A·M·乔卡里汉;D·莱德菲尔德;C·C·加勒森;T·H·奥斯特赫尔德 - 应用材料公司
- 2017-03-17 - 2018-11-23 - B24B37/26
- 化学机械抛光系统包含：基板支撑件，所述基板支撑件经配置以保持基板；抛光垫组件，所述抛光垫组件包含膜及抛光垫部分，所述抛光垫部分具有抛光表面、抛光垫载具及驱动系统，所述驱动系统经配置以造成所述基板支撑件与所述抛光垫载具之间的相对运动。所述抛光垫部分在与所述抛光表面相对的一侧上结合至所述膜。所述抛光表面具有平行于所述抛光表面、比所述基板的直径小至少四倍的宽度。所述抛光垫部分的外表面包含至少一个凹部及具有顶部表面的至少一个平台部，所述顶部表面提供所述抛光表面。所述抛光表面具有多个边缘，所述多个边缘由所述至少一个凹部的侧壁与所述至少一个平台部的顶部表面之间的交会处来界定。
- 一种分体式窗口CMP抛光垫的制备方法及CMP抛光垫-201810877758.1
- 宋思琪 - 成都时代立夫科技有限公司
- 2018-08-03 - 2018-11-16 - B24B37/26
- 本发明公开了一种分体式窗口CMP抛光垫的制备方法，包括对基材雕刻沟槽和一个放置窗口材料的窗口孔洞，然后将基材和衬底通过背胶贴合，再用衬底冲压模具在基材的窗口孔洞位置将衬底冲压出一个衬底孔洞，同时形成窗口支撑块，再用冲压机和窗口材料冲压模具对窗口材料进行冲压，得到成型的窗口材料，之后在窗口支撑块上涂抹一层底涂剂，最后将成型的窗口材料放在窗口孔洞位置，贴于窗口支撑块上；及一种利用此法制备的CMP抛光垫。相较于切片一体化窗口，该后期贴合窗口的方式，使得在制造过程中材料之间不会相互影响，可以解决固化后基材的密度分布不均匀的问题，降低由于温度不均匀而导致拉伸强度的波动，还可有效的降低基材报废率，节约生产成本。
- 一种抛光垫-201611011643.1
- 朱顺全;梅黎黎 - 湖北鼎龙控股股份有限公司
- 2016-11-17 - 2018-10-19 - B24B37/26
- 本发明公开了一种抛光垫，解决了现有抛光垫存在的抛光液分布不均、抛光速率和平整化程度有待进一步提高的问题。技术方案至少包括圆形的抛光层，所述抛光层上表面开有供抛光液流动的沟槽，所述沟槽由圆周走向型沟槽和径向走向型沟槽组成，所述圆周走向型沟槽是以抛光层圆心为中心的圆周走向的几何中心对称图形，所述图形的边m≥3，所述径向走向型沟槽是沿圆心向圆周方向散射出来的直线或/和曲线，且与圆周走向型沟槽具有交叉点。本发明结构简单、能使抛光液在抛光区均匀分布和流动，最大程度保持抛光区内抛光液中反应物和产物的浓度均匀、提高抛光速率、提高晶片平面化程度。
- 研磨机台及研磨方法-201810542757.1
- 姚力军;潘杰;王学泽;沈佳迪 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
- 2018-05-30 - 2018-10-16 - B24B37/26
- 本发明实施例提供一种研磨机台及研磨方法。所述研磨机台包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽。
- 抛光垫及研磨设备-201810738877.9
- 朱顺全;吴晓茜;张季平;车丽媛 - 湖北鼎龙控股股份有限公司;湖北鼎汇微电子材料有限公司
- 2018-07-06 - 2018-10-16 - B24B37/26
- 抛光垫，包括：垫片本体，具有研磨面；至少两个相互套设的圈形槽，设置在研磨面上；以及至少一条线形沟槽，设置在研磨面上，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通，其中，线形沟槽的深度是变化的，深度随着距离最内圈的圈形槽的中心处距离的增加而增加。一方面，在垫片本体的研磨面上设置有相互套设的圈形槽，其能够封住进入抛光垫的抛光液使得抛光液保持适宜的驻留时间，起到抛光的效果。另一方面，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通的线形沟槽，其能够将完成抛光过程的抛光液从圈形槽中导出，特别是因为线形槽的深度随着距离最内圈的圈形槽的中心距离的增加而增加，在该斜面的作用下，抛光液可以依靠重力而自然排出。
- 一种聚氨酯研磨垫-201721722067.1
- 朱顺全;吴晓茜;张季平;车丽媛 - 湖北鼎汇微电子材料有限公司
- 2017-12-12 - 2018-10-12 - B24B37/26
- 本实用新型公开了一种聚氨酯研磨垫，涉及抛光技术领域。包括表面设有沟槽的抛光层，沟槽截面的底部为弧形，弧形表面上布设有润滑涂层，润滑涂层的厚度为1～1000nm。本实用新型在弧形沟槽底部设置润滑涂层，有利于沟槽底部抛光液的流动，使废料更容易随抛光液排出，而不会残留在沟槽内，从而减少划痕的产生，使抛光效果更稳定。
- 专利分类
