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[发明专利]抛光垫及抛光系统-CN202311132487.4在审
发明人：林文多;高越;王腾;杨浩;段冲;王椎;黄锐 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙汇盛新材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫以及包含该抛光垫的抛光系统，其中抛光垫包含抛光层，所述抛光层表面包含有位于圆心处的中心区域、设置在中心区域外周的外周区域以及放射线沟槽,所述外周区域内设置有网格状沟槽；所述网格状沟槽的沟槽宽度为Wa，网格状沟槽的相邻两条沟槽之间的间距为P，其中Wa与P的比值需要满足0.2≤Wa/P≤0.4；本发明通过对抛光垫不同的抛光区域及沟槽尺寸以及相关参数进行综合设计，是的抛光垫具有优异的综合抛光性能。
抛光系统

[发明专利]检测窗口、抛光垫及抛光系统-CN202310538633.7在审
发明人：王腾;黄云鹏;高越;毛丽华;王椎;罗乙杰;刘敏 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙汇盛新材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测窗口，化学机械抛光垫以及抛光系统。所述检测窗口中包含具有一定孔隙结构的聚氨酯基材，所述检测窗口应用于化学机械抛光中对晶圆进行平坦化处理时用于抛光终点的检测，所述填充物能使检测窗口的整个使用寿命内透光率稳定，有效避免由于透光率波动产生的误抓，有效提高抛光垫的使用寿命，减少缺陷数量。
检测窗口抛光系统

[发明专利]化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法-CN202310501171.1在审
发明人：刘子龙;胡怀志;冉运;王银;朱顺全 -专利权人：武汉鼎泽新材料技术有限公司;湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法，包含至少一种碱类物质、至少一种胺类物质、至少一种金属络合剂类物质、以及至少一种金属腐蚀抑制剂类物质，其中该组合物适用于化学机械抛光之后从半导体晶片表面去除残留物和污染物；本发明涉及的化学机械抛光后清洗组合物具有相对温和的pH以及钝化如铜暴露材料的能力，且原料绿色易得，不包含有剧毒成分，针对铜CMP的后清洗，可高效的除去铜CMP后污染物，不产生缺陷和损伤，同样也会降低对低介电常数材料的破坏。
化学机械抛光清洗组合半导体器件方法

[发明专利]抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法-CN202111634111.4在审
发明人：黄学良;王淑芹;王欢;王腾;张季平;朱顺全 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明公开了涉及半导体的化学机械抛光技术领域的抛光垫、研磨设备及制造半导体器件的方法。所述抛光垫具有抛光面，自抛光面圆心向外周缘方向，在抛光面上至少依次设置第一环状研磨单元群、第二环状研磨单元群和第三环状研磨单元群；所述第二环状单元群的研磨面积比＞第一环状研磨单元群的研磨面积比，第二环状单元群的研磨面积比＞第三环状研磨单元群的研磨面积比。利用本发明提供的抛光垫研磨晶片，能获得优异研磨速率、低的研磨速率不均一性和低表面缺陷的晶片。
抛光研磨设备制造半导体器件方法

[发明专利]一种分级设备及抛光垫-CN202111515573.4在审
发明人：罗乙杰;张季平;高越;刘敏;张适雄;王廷煜;梅黎黎 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种分级设备及抛光垫，其中抛光垫包括聚氨酯抛光层，聚氨酯抛光层是原料组合的反应产物，所述原料组合包括多官能异氰酸酯与多元醇反应所得的异氰酸酯封端的预聚物、中空微球聚合物以及固化剂，本发明中通过严格控制中空微球聚合物的尺寸及尺寸分布，制备的抛光垫表现出了良好的理化特性，且具有适当的粗糙度和适量的金属元素含量，表现出良好抛光性能；适当粒径的中空微球聚合物制备出的抛光垫产品重复性良好，抛光性能稳定。
一种分级设备抛光

[发明专利]一种抛光垫-CN202111515056.7在审
发明人：罗乙杰;张季平;高越;刘敏;梅黎黎 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明涉及抛光垫，所述抛光垫包括聚氨酯抛光层，所述聚氨酯抛光层中包含有复合金属氧化物微单元，所述聚氨酯抛光层是原料组合的反应产物，所述原料组合包括多官能异氰酸酯与多元醇反应所得的异氰酸酯封端的预聚物、中空微球聚合物以及固化剂，本发明中通过严格控制中空微球聚合物的尺寸及尺寸分布，制备的抛光垫表现出了良好的理化特性，且具有适当的粗糙度和适量的金属元素含量，表现出良好抛光性能。
一种抛光

[实用新型]一种化学机械抛光修整器-CN202223305511.3有效
发明人：王椎;叶宏煜;孙文文;喻巧红;罗乙杰;林文多;黄锐 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;武汉鼎龙汇达材料科技有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种化学机械抛光修整器，所述化学机械抛光修整器包括：圆盘基体、沟槽以及固定在圆盘基体上的磨料颗粒，其中沟槽分布在圆盘基体表面，磨料颗粒分布在所述沟槽区域以外；本实用新型所涉及的化学机械抛光修整器通过在表面设计沟槽，有利于碎屑以及研磨副产物的排出，降低晶圆划伤的风险，同时避免碎屑粘附于磨料颗粒之间，延长修整器的工作寿命，除此之外，由于修整器表面设计有沟槽，还可以促进抛光液更加均匀的分布，提高研磨效率，且该化学机械抛光修整器结构简单，便于加工与生产。
一种化学机械抛光修整

[发明专利]一种抛光垫及半导体器件的制造方法-CN202111633366.9有效
发明人：黄学良;高越;张季平;王欢;王腾;朱顺全 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光垫及半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包含有中心区域，环状沟槽区域以及外部区域，其中，中心区域未设置有沟槽，外部区域中包含有多条贯通沟槽，贯通沟槽用于环状沟槽区域与抛光垫外边缘的联通，进一步的相邻的两条贯通沟槽之间为抛光单元，抛光单元中包含有多条非贯通沟槽，本发明通过限定贯通沟槽的条数，抛光单元的个数，贯通沟槽的形状，非贯通沟槽的长度及条数，以及沟槽面积与抛光垫面积的比值等参数在合适的范围内，抛光垫具有优异的综合性能。
一种抛光半导体器件制造方法

[发明专利]一种抛光垫-CN202111633117.X有效
发明人：王腾;邱瑞英;黄学良;黄珊珊;刘敏;罗乙杰 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫，包括研磨层，所述研磨层包括中心区域和设置在中心区域外周的外周区域，定义所述中心区域的半径为R1，研磨层半径为R，在研磨层半径方向上，所述外周区域的宽度W＝R‑R1；所述中心区域的半径与研磨层半径之比满足：0.01≤R1/R≤0.10；本发明通过对抛光垫的不同研磨区及其沟槽的尺寸及相关参数进行综合设计，使得本发明的抛光垫具有优异的研磨性能，并且具有较长的使用寿命。
一种抛光

[发明专利]一种异氰酸酯预聚体、包含其的抛光垫、抛光设备及半导体器件的制造方法-CN202211340233.7在审
发明人：罗乙杰;占英才;严亮;陈博;王淑芹;张季平;刘敏;蔡龙丹 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种异氰酸酯预聚体、包含其的抛光垫、抛光设备及半导体器件的制造方法。该异氰酸酯预聚体由包括芳香族异氰酸酯、脂环族异氰酸酯、聚醚多元醇、小分子多元醇的原料反应得到，以NCO为封端基团，游离NCO的质量百分数为8.5％～11.0％，游离芳香族异氰酸酯的质量百分数为0.5％～4％，游离脂环族异氰酸酯的质量百分数为1.5％～15.0％；20℃～130℃内的蒸汽压为0.2～30Pa。本发明通过控制异氰酸酯预聚体的合成反应，控制预聚体中游离芳香族异氰酸酯、游离脂环族异氰酸酯的含量，发现由满足本发明异氰酸酯预聚体制备的抛光垫具有适当的切削速率、高的去除速率及高的去除速率稳定性。
一种氰酸酯预聚体包含抛光设备半导体器件制造方法

[发明专利]一种自修整抛光垫及其制备方法和应用-CN202211128759.9在审
发明人：王腾;殷晶莉;罗乙杰;刘敏;王椎;林文多;杨浩;黄锐 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本发明公开一种自修整抛光垫及其制备方法和应用，所述自修整抛光垫包括抛光层，所述抛光层包括不连续相聚合物材料和连续相聚合物材料，所述不连续相聚合物材料均匀分散在所述连续相聚合物材料中，所述连续相聚合物材料包括水溶性聚合物材料和/或水解性聚合物材料；所述连续相聚合物材料的溶解/解离速度为0.5‑63um/h。本发明提供的自修整抛光垫具有良好的自修整功能，使用本发明的自修整抛光垫对半导体器件进行抛光，不使用修整盘；在使用10h、20h甚至30h后，仍能保持稳定的研磨去除速率和低的晶圆缺陷。
一种修整抛光及其制备方法应用

[发明专利]一种抛光垫及其制备方法、半导体器件的制造方法-CN202110799765.6有效
发明人：王腾;刘敏;罗乙杰;邱瑞英;杨浩 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫及其制备方法、半导体器件的制造方法，该方法包括使用特定抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序，所述抛光垫中含有嵌入式的聚合物微球，且微球中包含分散液体及抛光粒子，晶片可以使抛光粒子均匀的分布于抛光垫中，有效避免抛光粒子的分布不均及其在抛光垫表面聚集的现象，进而提高抛光质量及效率，且使用的新型聚合物微球，能有效减少抛光垫由于微球漂浮，受热不均及膨胀不一造成的不均匀性，进而减少次品数量，提高产品良率。
一种抛光及其制备方法半导体器件制造

[发明专利]一种抛光垫-CN202210978288.4在审
发明人：罗乙杰;陈博;张季平;高越;刘敏;蔡龙丹 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫，其中，所述抛光垫包含有抛光层，所述抛光层是由包含有5～100μm孔隙分隔连续的聚氨酯基材形成的闭孔弹性体，聚氨酯基材经包含多官能异氰酸酯，多元醇组合物以及多元胺组合物经反应得到，其中多元胺组合物包含一种和/或多种二元胺和/或三元胺和/或三元以上的多元胺，所述多元胺组合物的平均分子量介于200～400之间，所述多元胺组合物的平均官能度大于2且不超过2.20，所述多元胺组合物中二元胺与三元胺分别占多元胺组合物总量的比例介于77％～96％：3％～12％之间；本发明所涉及的抛光垫具有更高的可控性，具有较低的加工条件要求，具有更宽的加工窗口，所形成的抛光层具有更高的寿命稳定性，对于不同切削能力的金刚石修整盘具有更加宽的适用范围，在抛光过程中具有更加稳定的去除速速率表现。
一种抛光

[发明专利]检测窗口、化学机械抛光垫及抛光系统-CN202110834098.0有效
发明人：王腾;刘敏;罗乙杰;王淑芹;杨浩;林文多 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明公开了涉及化学机械抛光技术领域的检测窗口、化学机械抛光垫及抛光系统。本发明检测窗口设置在抛光层中，包括透光部和加强部，透光部下表面设置凹陷区域，加强部位于凹陷区域内，加强部与透光部一体成型或粘合为一体；所述加强部设置镂空部分，0＜镂空部分横截面积≤凹陷区域横截面积的80％；进一步地，所述加强部中部镂空和/或边缘镂空，优选为加强部中部镂空、互不连通的加强部中部镂空和边缘镂空。本发明提供的检测窗口，窗口强度提高，压缩比减小，能有效降低晶圆划伤，并且提高抛光垫使用寿命。
检测窗口化学机械抛光抛光系统

[发明专利]一种抛光垫-CN202111506323.4有效
发明人：罗乙杰;张季平;高越;刘敏 -专利权人： 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫，其中，抛光垫中的缓冲层在施加压力F0后的应力松弛阶段t时刻的回复力Ft与施加压力F0的比值与t满足如下式(1)中的拟合关系，其中，0≤t≤30s，所述a、b为常数，且满足：0.01≤a≤0.1和/或1.0≤b≤1.1，式(1)的拟合优度R2≥0.95，满足上述拟合关系的缓冲层制备而来的抛光垫，去除速率曲线及边缘去除速率在抛光垫的整个生命周期内均保持稳定，波动较小，研磨速率不均一性NU值较低且波动较小。f(t)＝Ft/F0＝‑a·ln(t)+b(1)。
一种抛光

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