[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810874051.5 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109037258A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张连谦;李志伟;冉春明;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括：提供器件晶片，其中该器件晶片包括衬底和形成在衬底上的器件层；在器件晶片上形成支撑层，使得支撑层和衬底位于器件层的两侧；以及将得到的半导体装置反转，在支撑层的支撑下，对半导体装置进行后续处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 器件晶片 支撑层 衬底 器件层 制造 后续处理 反转 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供器件晶片，所述器件晶片包括衬底和形成在所述衬底上的器件层；在所述器件晶片上形成支撑层，使得所述支撑层和所述衬底位于所述器件层的两侧；以及将得到的半导体装置反转，在所述支撑层的支撑下，对所述半导体装置进行后续处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810874051.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像传感器及其形成方法
- 下一篇：一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
