[发明专利]一种双T型栅及制作方法和应用在审
| 申请号： | 201810834030.0 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109103245A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 何先良;卢青;蔡文必;王文平 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双T型栅及制作方法和应用，双T型栅包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。本发明能降低栅极电阻，其制作方法不仅可以有效实现小线宽栅极，降低栅极寄生电容,也可以提高栅极制作的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅帽 栅足 制作 栅极寄生电容 介质钝化层 有效实现 栅极电阻 栅极制作 第一级 衬底 小线 应用 悬空 穿过 生长 | ||
【主权项】：
1.一种双T型栅，生长在具有介质钝化层的衬底上，其特征在于：包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。
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