[发明专利]一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810801124.8 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108807511A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李昱材;张东;赵琰;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/43;H01L21/02;H01L21/443 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 吕敏 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明以苯二甲酸乙二酯材料衬底基片，采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合，采用AZO作为透明导电电极，最后蒸镀耐腐蚀的TiN材料，可以制备出高质量廉价的器件；同时，该制备工艺简单，可实现规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 异质结构 苯二甲酸乙二酯 透明导电薄膜 材料层 衬底 聚对苯二甲酸乙二酯 聚苯二甲酸乙二酯 薄膜制备技术 抗腐蚀保护层 透明导电电极 异质结构器件 衬底基片 规模生产 制备工艺 衬底层 缓冲层 耐腐蚀 蒸镀 | ||
【主权项】：
1.一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：从下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。
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