[发明专利]一种槽栅IGBT芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种槽栅IGBT芯片及其制造方法，具体制造方法步骤如下：步骤一：在硅片的一侧刻蚀出绝缘沟槽，在绝缘沟槽内填充第一绝缘层，在第一绝缘层的外侧填充与P型基片接触的导电层；步骤二：在步骤一的基础上在硅片表面大面积离子注入对应于器件沟槽区的P型层和源区的N型层；步骤三：在步骤二的基础上采用快速热退火的方式将Ti和金属连接孔中的硅反应形成TiSi2金属硅化物，使用NH4OH和H2O2混合碱性化学药液将未反应的金属Ti刻蚀掉，采用物理气相淀积的方式淀积一层铝或铝合金；步骤四：在步骤三的基础上在N型层的窗口处淀积二氧化硅随后进行湿法刻蚀。本发明槽栅IGBT芯片及其制造方法具有很高的实用性，整体装置应用前景广泛，适合广泛推广。

主权项

1.一种槽栅IGBT芯片及其制造方法，其特征在于，具体制造方法步骤如下：步骤一：在硅片的一侧刻蚀出绝缘沟槽，在绝缘沟槽内填充第一绝缘层，在第一绝缘层的外侧填充与P型基片接触的导电层；步骤二：在步骤一的基础上在硅片表面大面积离子注入对应于器件沟槽区的P型层和源区的N型层；步骤三：在步骤二的基础上采用快速热退火的方式将Ti和金属连接孔中的硅反应形成TiSi2金属硅化物，使用NH4OH和H2O2混合碱性化学药液将未反应的金属Ti刻蚀掉，采用物理气相淀积的方式淀积一层铝或铝合金；步骤四：在步骤三的基础上在N型层的窗口处淀积二氧化硅随后进行湿法刻蚀，再对整个N型层衬底正面离子注入硼，作退火、推结处理后形成位于中间的P型层，同时多晶硅层中注入P型杂质硼；步骤五：在步骤四的基础上在硅片的表面喷涂有散热涂层，放入到干燥机中快速干燥后，再在其表层喷涂一层耐腐蚀涂层；步骤六：在步骤五的基础上N型衬底背面金属化制作集电极。