[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件。本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件制作方法，准备一外延基片，对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀，形成沟槽；在沟槽中形成侧壁介电层；在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面；对屏蔽栅继续进行回刻，使屏蔽栅回刻至外延基片表面以下；在沟槽内进行第二介电层填充并回刻至外延基片表面以下；在沟槽内和外延基片的表面淀积控制栅，屏蔽栅引出处淀积的控制栅向沟槽两侧填充；对控制栅进行回刻，使控制栅回刻至外延基片表面，形成控制栅。本发明能够节省光刻步骤，降低制作成本。

主权项

1.一种屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征在于，包括：一外延基片，在该外延基片的上端部内形成的屏蔽栅，该屏蔽栅被介电层包覆在沟槽内；在所述沟槽内位于屏蔽栅上端形成的控制栅；屏蔽栅引出处的沟槽内露出第二介电层表面，屏蔽栅引出处的沟槽开口形成U型结构；在所述外延基片的上端部内形成的阱，位于所述外延基片的上端部内所述阱的上端形成的源区，在所述控制栅和源区以及第二介电层的上端淀积的ILD介质层，在所述ILD介质层中分别形成的屏蔽栅引出接触孔、阱接触孔和控制栅接触孔；位于屏蔽栅引出接触孔、阱接触孔和控制栅接触孔内的阱接触层，在所述ILD介质层上端和接触孔中淀积的正面导电金属，在所述外延基片的背面形成的背面导电金属。