[发明专利]半导体结构及其形成方法及标准单元结构有效
| 申请号： | 201810614521.4 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109585413B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林威呈;庄正吉;陈志良;杨超源;杨惠婷;赖韦安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例是有关于一种半导体结构及其形成方法及标准单元结构，尤其是有关于形成通孔轨和深通孔结构以减少标准单元结构中的寄生电容。通孔轨结构形成在与导线不同的级中。通孔轨结构可以减少导线数量和在相同互连级上的导线之间提供较大的间距，从而减少导线之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 标准 单元 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个栅极结构；形成在第一介电层中的多个通孔，其中所述多个通孔中的每个通孔形成在所述多个栅极结构中的每个栅极结构上；形成在所述第一介电层中和形成在所述多个通孔中的至少一个通孔上的导电轨结构，其中所述导电轨结构电连接至所述多个通孔中的所述至少一个通孔；形成在所述第一介电层和所述导电轨结构上的第二介电层；至少形成在所述第二介电层中和形成在所述导电轨结构上的深通孔，其中所述深通孔电连接至所述导电轨结构；以及形成在所述深通孔上并与所述深通孔电连接的多个第一金属线。
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