[发明专利]一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

一种增强型HEMT及其制备方法，该增强型HEMT包括GaN外延片、分别位于GaN外延片两端的源极和漏极及位于源极和漏极之间的栅极，该栅极包括多个凹型栅槽，该凹型栅槽表面直接沉积有栅极金属层形成肖特基栅极，或依次沉积栅介质层和栅极金属层形成MIS栅极，凹型栅槽的底部位于GaN外延片的势垒层内，其总长度等于预设栅长，保证了足够的栅极控制能力；各凹型栅槽的深度沿远离源电极的方向依次减小，使得沟道中电子耗尽程度依次减弱，保证了沟道中存在足够的电子，这样能够在实现增强型的基础上维持大电流的特性，从而减小了沟道的导通电阻，降低了器件的功耗。

主权项

1.一种增强型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：GaN外延片，其包括势垒层；源极和漏极，分别位于GaN外延片的两端；栅极，位于源极和漏极之间，其包括M个凹型栅槽，所述M个凹型栅槽表面沉积有栅极金属层或依次沉积有栅介质层和栅极金属层，所述M个凹型栅槽的底部位于GaN外延片的势垒层内，其总长度等于预设栅长，且各凹型栅槽的深度沿远离源极的方向依次减小，所述M为大于或等于2的整数。