[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201810353472.3 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108735593B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 桐原直俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/784 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，解决因碎屑飞散使光器件的品质降低、从正面朝向背面倾斜地分割而无法形成垂直的侧壁以及正面上所形成的发光层损伤的问题。该晶片的加工方法包含：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的区域而对晶片照射脉冲激光光线，按照规定的间隔沿分割预定线形成多个盾构隧道，该盾构隧道由多个细孔和围绕各细孔的非晶质构成；改质层形成工序，将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而对晶片照射脉冲激光光线，在相邻的盾构隧道之间形成改质层；和分割工序，对晶片施加外力而将晶片分割成多个光器件芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，将晶片分割成各个光器件芯片，该晶片在蓝宝石基板的正面上层叠有发光层，在该发光层上的由相互交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有光器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点从晶片的背面定位于与分割预定线对应的区域而对晶片照射脉冲激光光线，按照规定的间隔沿分割预定线形成多个盾构隧道，该盾构隧道由多个细孔和围绕各细孔的非晶质构成；改质层形成工序，将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点从晶片的背面定位于分割预定线的内部而对晶片照射脉冲激光光线，在相邻的盾构隧道之间形成改质层；以及分割工序，对晶片施加外力而将晶片分割成多个光器件芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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