[发明专利]半导体存储器件及半导体存储器制造装置有效
| 申请号： | 201810348587.3 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109390369B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 金哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第一存储器件包括具有多个沉积层的第一磁阻单元。第二存储器件包括具有多个沉积层的第二磁阻单元。第二磁阻单元的所述多个沉积层的每个对应于第一磁阻单元的所述多个沉积层中的一个。第二磁阻单元的所述多个沉积层中的一个比第一磁阻单元的所述多个沉积层中的对应沉积层更薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 存储器 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：第一存储器件，其包括具有多个沉积层的第一磁阻单元；以及第二存储器件，其包括具有多个沉积层的第二磁阻单元，其中所述第二磁阻单元的所述多个沉积层的每个对应于所述第一磁阻单元的所述多个沉积层中的一个，以及其中所述第二磁阻单元的所述多个沉积层中的一个比所述第一磁阻单元的所述多个沉积层中的对应沉积层更薄。
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