[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810307388.8 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108321269A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李庆;刘佳擎;张振 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括衬底、位于衬底上的LED外延结构以及位于LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，LED芯片还包括电流阻挡层，电流阻挡层包括位于P电极区域及P电极之间的第一电流阻挡层及位于N电极区域及N电极之间的第二电流阻挡层。本发明的N电极区域及N电极之间具有第二电流阻挡层，改善了电流分布，提高了LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 电流阻挡层 衬底 电流分布 制造 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，包括衬底、位于所述衬底上的LED外延结构以及位于所述LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，其特征在于，所述LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述P电极区域及所述P电极之间的第一电流阻挡层及位于所述N电极区域及所述N电极之间的第二电流阻挡层。
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