[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201810112981.7 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN108085644B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 江端一晃;但马望 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种溅射靶，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In |
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| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 半导体 薄膜 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜，其包含含有铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的氧化物，其满足下述式(1)～(4)的原子比：0.08≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.50 (1)0.01≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (2)0.30≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.90 (3)0.01≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (4)式中，In、Sn、Zn及Al分别表示氧化物半导体薄膜中的铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的原子比。
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