[发明专利]高电性能的芯片封装结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种能经受恶劣环境考验的高电性能的芯片封装结构及制作方法，该封装结构通过在芯片的正面焊垫上方保留部分介质层或增设一层无机氧化层，由于介质层或无机氧化层介电常数低，实验结果发现开口处的应力明显下降，从而减少了金属布线层与芯片焊垫的分层现象，提高了封装良率；同时，无机氧化层和外层绝缘层并行，其在焊垫上的拐角处及晶圆正面与第一开口拐角处，厚度均匀，介电常数低，提高了产品绝缘性，从而防止漏电失效的发生，且与现有技术设置单层绝缘层相比，本发明里层为无机氧化层的两层绝缘层不容易被吸湿影响，防潮能力更强。

主权项

1.一种高电性能的芯片封装结构，包括芯片，所述芯片正面包含功能区和位于所述功能区周边的若干焊垫，所述芯片正面设有介质层，所述焊垫位于所述介质层内，其特征在于，所述焊垫与所述芯片的衬底之间间隔部分介质层，所述芯片的衬底背面形成有向所述焊垫延伸的第一开口，且所述第一开口底部暴露出所述焊垫背面上部分所述介质层，暴露出的所述介质层中心部分被挖空或全部被挖空，形成暴露出所述焊垫背面的第二开口，暴露出的所述介质层中心部分被挖空时，所述芯片的衬底背面及所述第一开口的侧壁上铺设有一层或两层绝缘层，且所述绝缘层延伸覆盖在所述第二开口边缘的介质层上，所述绝缘层上铺设有金属布线层，所述金属布线层电性连接暴露出的所述焊垫的背面并将所述焊垫的电性引出至所述芯片的背面；暴露出的所述介质层全部被挖空时，所述芯片的衬底背面及所述第一开口的侧壁上铺设有两层绝缘层，且所述绝缘层延伸覆盖在暴露出的焊垫的背面的边缘上，所述绝缘层上铺设有金属布线层，所述金属布线层电性连接暴露出的焊垫的背面的中心并将所述焊垫的电性引出至所述芯片的背面。