[发明专利]一种发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201810079389.1 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108346721B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/46;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，并生长第一发光外延层；在第一发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得第一发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；继续生长第二发光外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：（1）提供一衬底，并生长第一发光外延层；（2）在第一发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；（3）进行蚀刻工艺，使得第一发光外延层形成图案化凹凸结构；（4）在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；（5）继续生长第二发光外延层。
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