[发明专利]半导体结构形成方法在审
| 申请号： | 201810015729.4 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108281355A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林宗德;彭琬婷;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构形成方法，包括：提供介质层；在所述介质层顶部形成牺牲层，所述牺牲层的硬度小于所述介质层的硬度；形成贯穿所述介质层厚度及牺牲层厚度的通孔；形成填充满所述通孔的金属层，所述金属层顶部高于所述介质层顶部；采用化学机械研磨工艺，去除高于所述介质层顶部的所述金属层，并去除位于所述介质层顶部的所述牺牲层。本发明能够防止化学机械研磨工艺研磨金属层造成金属层顶部出现凹陷，从而改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 金属层 牺牲层 半导体结构 化学机械研磨工艺 去除 通孔 研磨 凹陷 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供介质层；在所述介质层顶部形成牺牲层，所述牺牲层的硬度小于所述介质层的硬度；形成贯穿所述介质层厚度及牺牲层厚度的通孔；形成填充满所述通孔的金属层，所述金属层顶部高于所述介质层顶部；采用化学机械研磨工艺，去除高于所述介质层顶部的所述金属层，并去除位于所述介质层顶部的所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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