[发明专利]纳米尺度模板结构上的Ⅲ族-N晶体管有效
| 申请号： | 201810011903.8 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108054084B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;S·K·加德纳;S·H·宋;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/80 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了纳米尺度模板结构上的Ⅲ族‑N晶体管。Ⅲ‑N半导体沟道形成在Ⅲ‑N过渡层上，Ⅲ‑N过渡层形成在诸如鳍状物侧壁的硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍状物具有可与Ⅲ‑N外延膜厚度相比拟的宽度，以实现更兼容的晶种层，允许较低的缺陷密度和/或减小的外延膜厚度。在实施例中，过渡层为GaN并且半导体沟道包括铟(In)，以增大半导体沟道的导带与硅鳍状物的导带的偏离。在其它实施例中，鳍状物是牺牲性的并且在晶体管制造期间被去除或氧化，或者通过其它方式被转换成电介质结构。在采用牺牲鳍状物的某些实施例中，Ⅲ‑N过渡层和半导体沟道大体上是纯GaN，允许击穿电压高于存在硅鳍状物的情况下可维持的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺度 模板 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种设置在硅衬底上的Ⅲ-N场效应晶体管(FET)，所述FET包括：设置在所述衬底之上的电介质锚；第一Ⅲ族-N器件层堆叠体和第二Ⅲ族-N器件层堆叠体，二者由所述电介质锚彼此物理分开；以及设置在所述Ⅲ-N器件层堆叠体之上的栅极堆叠体，其用于控制所述Ⅲ-N器件层堆叠体中的每一个中的沟道半导体层的电导率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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