[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 201780045986.6 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109643688B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 新保宏幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 高颖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对采用了纳米线FET的半导体集成电路装置提供一种对制造的容易化有效的版图结构。布置有标准单元(C2)，标准单元(C2)与具有逻辑功能的标准单元(C1)相邻且不具有逻辑功能。标准单元(C1)具有纳米线FET(P11、P12、N11、N12)，纳米线FET(P11、P12、N11、N12)具有纳米线(11、12、13、14)和焊盘(21、22、23、24、25、26)，标准单元(C2)具有虚设焊盘(51、52、53、54)，虚设焊盘(51、52、53、54)对电路的逻辑功能不做贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具有第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元具有纳米线FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)且具有逻辑功能，所述第二标准单元在第一方向上与所述第一标准单元相邻布置且不具有逻辑功能，所述纳米线FET具有：沿所述第一方向延伸的一条或并排设置的多条纳米线；以及一对焊盘，一对所述焊盘分别设在所述纳米线的所述第一方向上的两端，且下表面位于比所述纳米线的下表面低的位置上，并与所述纳米线相连，所述第二标准单元具有虚设焊盘，所述虚设焊盘为对电路的逻辑功能不做贡献的焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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