[发明专利]超密集垂直传输FET电路有效
| 申请号： | 201780011910.1 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108701716B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | B·A·安德森;E·诺瓦克;A·M·楚 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了逻辑电路或逻辑门，包括垂直传输场效应晶体管和一个或多个有源栅极，其中该逻辑电路的CPP的数量单独地等于有源栅极的数量。逻辑电路的组件可以存在于至少三个不同的垂直电路层，包括：包括穿过向该一个或多个栅极结构(7)提供输入电压的一个导电元件和提供该逻辑电路的输出电压的另一个导电元件的水平面的一个电路层级；以及包括穿过从场效应晶体管的N输出到P输出的导电桥的水平面的另一电路层级。这种逻辑电路可以包括1‑栅极反相器、2‑栅极反相器、NOR2逻辑门和NAND3逻辑门，以及其它复杂逻辑电路。 | ||
| 搜索关键词： | 密集 垂直 传输 fet 电路 | ||
【主权项】：
1.一种逻辑电路，包括：第一垂直传输场效应晶体管和第二垂直传输场效应晶体管，每个都具有在栅极结构的垂直相对侧上的源/漏区和相对于垂直反相器的支撑衬底从底部源/漏区到顶部漏/源区垂直向上延伸的垂直鳍片；一个或多个栅极结构；其中该逻辑电路的元件存在于至少三个不同的垂直层级，包括穿过第一和第二垂直传输场效应晶体管的鳍片的水平面的层级FET的、电路层级M1和电路层级M2；其中电路层级M1包括至少一个水平面，该水平面至少穿过一个向该一个或多个栅极结构提供输入电压的导电元件和另一个提供该逻辑电路的输出电压的导电元件；其中电路层级M2包括穿过至少一个导电元件的水平面，该导电元件形成从场效应晶体管的N输出到P输出的导电桥；和其中电路层级M2纵向位于电路层级M1之上并且与其分开，并且其中电路层级M1纵向位于层级FET之上并与其分开。
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