[实用新型]三极管有效
| 申请号： | 201721828672.7 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207587738U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯荣杰;刘东;胡铁刚 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种三极管，第二导电类型外延层上形成有氧化硅层，氧化硅层上形成有含磷氧化层，含磷氧化层除了能够很好的阻挡Na+离子，还能将氧化硅层中含有的少量Na+离子吸收并固定，并使Na+离子中和为电中性。因氧化硅层直接与三极管的表面接触，其内部的Na+对三极管的Vcs影响最大，通过含磷氧化层将氧化硅层中的Na+吸收干净，并将Na+固定在含磷氧化层中，同时使Na+呈电中性失去活性，可以避免在三极管的表面感应出电荷影响Vcs，从而能够将典型值为120V的三极管的Vcs提高到150到160V，并通过含磷氧化层阻挡成品应用中的Na+沾污，从而提高了所形成的三极管的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 含磷氧化层 氧化硅层 电中性 导电类型外延层 阻挡 本实用新型 表面感应 离子吸收 离子中和 电荷 沾污 离子 吸收 应用 | ||
【主权项】：
1.一种三极管，其特征在于，所述三极管包括：第一导电类型衬底；位于所述第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层；自所述第二导电类型外延层表面延伸至所述第二导电类型外延层中的第一导电类型掺杂区域及第二导电类型的第一掺杂区域；自所述第一导电类型掺杂区域表面延伸至所述第一导电类型掺杂区域中的第二导电类型的第二掺杂区域；位于所述第二导电类型外延层上的氧化硅层；及位于所述氧化硅层上的含磷氧化层。
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