[实用新型]三极管

权利要求书

1.一种三极管，其特征在于，所述三极管包括：

第一导电类型衬底；

位于所述第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层；

自所述第二导电类型外延层表面延伸至所述第二导电类型外延层中的第一导电类型掺杂区域及第二导电类型的第一掺杂区域；

自所述第一导电类型掺杂区域表面延伸至所述第一导电类型掺杂区域中的第二导电类型的第二掺杂区域；

位于所述第二导电类型外延层上的氧化硅层；及

位于所述氧化硅层上的含磷氧化层。

2.如权利要求1所述的三极管，其特征在于，所述含磷氧化层包括位于所述氧化硅层上的第一含磷氧化层及位于所述第一含磷氧化层上的第二含磷氧化层，其中，所述第一含磷氧化层的致密度比所述第二含磷氧化层的致密度高。

3.如权利要求2所述的三极管，其特征在于，所述第一含磷氧化层的厚度为3000埃～5000埃，所述第二含磷氧化层的厚度为3000埃～5000埃。

4.如权利要求2所述的三极管，其特征在于，所述第一含磷氧化层在腐蚀液中的腐蚀速率为600埃/分钟～900埃/分钟，所述第二含磷氧化层在腐蚀液中的腐蚀速率为1000埃/分钟～2500埃/分钟。

5.如权利要求4所述的三极管，其特征在于，所述腐蚀液为HF和NH₄F的浓度比为1:(4～8)的腐蚀液。

6.如权利要求2所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括：第一引线孔、第二引线孔及第三引线孔，所述第一引线孔、所述第二引线孔及所述第三引线孔均自所述含磷氧化层表面延伸至所述第二导电类型外延层表面。

7.如权利要求6所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括：第一金属电极、第二金属电极及第三金属电极，其中，所述第一金属电极通过所述第一引线孔与所述第二导电类型的第二掺杂区域连接，所述第二金属电极通过所述第二引线孔与所述第一导电类型掺杂区域连接，所述第三金属电极通过所述第三引线孔与所述第二导电类型的第一掺杂区域连接。

8.如权利要求7所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括第一导电类型隔离墙，所述第一导电类型隔离墙自所述第二导电类型外延层表面延伸至所述第一导电类型衬底表面。

9.如权利要求8所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括第四引线孔，所述第四引线孔自所述含磷氧化层表面延伸至所述第二导电类型外延层表面。

10.如权利要求9所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括第四金属电极，所述第四金属电极通过所述第四引线孔与所述第一导电类型隔离墙连接。

11.如权利要求10所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括覆盖所述第一金属电极、所述第二金属电极、所述第三金属电极、所述第四金属电极及所述含磷氧化层表面的钝化层。

12.如权利要求1～11中任一项所述的三极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，且所述第二导电类型为N型；或者，所述第一导电类型为N型，且所述第二导电类型为P型。

13.如权利要求1～11中任一项所述的三极管，其特征在于，所述三极管还包括位于所述第一导电类型衬底表面的第二导电类型埋层，其中，所述第二导电类型外延层覆盖所述第二导电类型埋层。

14.如权利要求1～11中任一项所述的三极管，其特征在于，所述第二导电类型的第一掺杂区域包括第二导电类型的深第一掺杂区域及自所述第二导电类型的深第一掺杂区域表面延伸至所述第二导电类型的深第一掺杂区域中且横向超出所述第二导电类型的深第一掺杂区域的第二导电类型的浅第一掺杂区域，其中，所述第二导电类型的深第一掺杂区域的区域深度比所述第二导电类型的浅第一掺杂区域的区域深度大。